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我的朋友

发布时间:2017-05-07 16:52:00

一、硬件原理电池供电通过两个分压电阻接地,STM32则在两电阻中间通过ADC检测电池电压。(引脚BAT_DET)二、ADC通道初始化//初始化电池检测ADC //开启ADC1的通道8    //BatteryCheck---->PB0void BatteryCheckInit(){ .........【阅读全文】

阅读(1363) | 评论(0) | 转发(0)

发布时间:2017-05-01 14:21:46

一、MPU6050中的IIC时序1.1 START和STOPSDA和SCL在高电平时,SDA拉低表示START。SCL拉低,表示可以传输数据。SDA和SCL在低电平时,SDA拉高表示STOP。 SCL拉高,表示传输数据结束。/*******************************************函数原型: void IIC_Start(void)*功能: .........【阅读全文】

阅读(11968) | 评论(0) | 转发(0)

发布时间:2017-05-01 14:02:49

参考资料:http://blog.sina.com.cn/s/blog_8240cbef01018i10.html不过有一些寄存器没有写到,所以我自己加一点:1)Register 25  - INT Pin / Bypass Enable ConfigurationINT_PIN_CFG描述:    这个寄存器配置在INT引脚的中断信号行为,它也用于使能FSYNC引脚,用来作为中断主机应.........【阅读全文】

阅读(2213) | 评论(0) | 转发(0)

发布时间:2017-04-05 22:05:58

一、功率放大电路的关键问题①将输入信号的电压放大之后再进行电流放大。②三种之前的方案(a)电路,会有交越失真不采用(b)电路,三极管取出大量电流时,Tr1和Tr2温度升高,Vbe电流变小。而二极管电流基本不变,那么VF>Vbe。继续引起三极管电流增加,从而发生热击穿。(c)电路,可以防止热击穿。但不能解决.........【阅读全文】

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发布时间:2017-04-04 22:55:10

一、射级跟随器发射极跟随着输入信号(基极电位)进行工作。1.1典型电路信号从发射机取出,而且没有集电极负载电阻Rc。1.2 不受负载电阻的影响改变RL的值和改变RE的值是一样的。并且Ve的电位只受Vb的影响。二、电路设计①确定电源②选择晶体管③晶体管集电极损耗的计算.........【阅读全文】

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发布时间:2017-03-31 22:55:41

一、概述在概述里这样写,看完我就买了书。然后就是晶体管的放大方式,其实是把电源的电路放大。并不是从输出端放大的:晶体管是用基级电流来控制集电极-发射机电流的器件。而FET则是在输入端(栅极)的电压来控制输出端(漏级)的电流。二、放大电路的工作原理2.1 放大电路使用multisim仿真:遇到.........【阅读全文】

阅读(1063) | 评论(0) | 转发(0)

发布时间:2017-03-16 22:45:30

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极.........【阅读全文】

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发布时间:2017-03-07 22:12:25

一、头文件函数库3.5中一些之前sysTick的函数接口都不能用了。而且把一些函数放到了core_cm3,misc文件中了#include "stm32f10x.h"#include "core_cm3.h"#include "misc.h"二、设置延迟函数vu32 TimingDelay;void Delay(u32 nTime).........【阅读全文】

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发布时间:2017-03-02 23:47:07

一、RCC初始化/* Setup the microcontroller system. Initialize the Embedded Flash Interface,      initialize the PLL and update the SystemFrequency variable. */  SystemInit();/* Enable peripheral clocks ----------.........【阅读全文】

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发布时间:2017-02-26 22:20:40

DMA学习......【阅读全文】

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