晶体管电路设计学习笔记（一）

一、概述

在概述里这样写，看完我就买了书。


然后就是晶体管的放大方式，其实是把电源的电路放大。并不是从输出端放大的：

晶体管是用基级电流来控制集电极-发射机电流的器件。
而FET则是在输入端（栅极）的电压来控制输出端（漏级）的电流。

二、放大电路的工作原理

2.1 放大电路

使用multisim仿真：


遇到的问题：书上的是2SC2458,而仿真软件没有。我是使用了2SC2655，相同的电路会出现失真的情况。
截至失真：正半轴正常放大，负半轴进入截至区。产生失真>>工作点取的太低
饱和失真：正半轴进入饱和区，负半轴正常放大。产生失真>>工作点取的太低高

ie=ic+ib=ic

2.2 放大电路的设计

2.2.1 电路计算

①基极的直流电位V_b
②发射级的直流电位V_e
③发射级流动的直流电流I_e
④集电极电压为电源电压减去R_C的压降
⑤放大倍数是R_C和R_E的比值

2.2.2 电路设计流程

①确定电源
②选择晶体管
③确定发射级电流工作点
④确定R_C和R_E
⑤确定基极电路
⑥去顶耦合电容C₁和C₂
⑦确定电源去耦电容C₃和C4

2.3 放大电路的性能

①输入阻抗：在信号源串联一个Rs、由串联电阻两端的振幅Vs与Vi之差来求输入阻抗的方法。

②输出阻抗：在输出端串联一个Rl、由串联电阻两端的振幅Vo。然后与无负载时的输出振幅做比较。

③放大倍数与频率特性
④高频截至频率
⑤高频晶体管
⑥频率特性不扩展
⑦提高放大倍数
⑧噪声特性
⑨总谐波失真率