发布时间：2022-06-10 16:17:11

编辑-ZASEMI场效应管12N65参数：型号：12N65漏源电压（VDSS）：650V连续漏极电流（ID）：12A栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V功耗（PD）：140W漏源漏电流（IDSS）：10uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω输出电容（COSS）：150pF最大脉冲正向.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-09 16:09:26

编辑-Z10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为600nS，输.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-09 16:08:46

编辑-ZASEMI的MOS管9N90参数：型号：9N90漏源电压（VDSS）：900V栅源电压（VGSS）：±30V连续漏极电流（ID）：9.0A脉冲漏极电流（IDM）：36A功耗（PD）：49W漏源漏电流（IDSS）：10uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω输出电容（COSS）：175pF.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-08 15:53:27

编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss).........【阅读全文】

发布时间：2022-06-08 15:52:26

编辑-Z7N60极限参数： （1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额；（2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额；（3）PDSM，最大耗散功率，是指7N60性能不恶化时.........【阅读全文】