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2022年(29)

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发布时间:2022-10-11 15:52:16

编辑-ZIPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数:型号:IPW65R110CFDA连续漏极电流(ID):99.6A功耗(Ptot):277.8W贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS:650V栅极阈值电压V(GS)th:4V零栅极电压漏极电流(IDSS):1.5uA栅源漏电流(IGSS):100nA漏源导通.........【阅读全文】

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