ASEMI场效应管12N65参数，12N65规格书，12N65特征

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ASEMI场效应管12N65参数：

型号：12N65

漏源电压（VDSS）：650V

连续漏极电流（ID）：12A

栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V

功耗（PD）：140W

漏源漏电流（IDSS）：10uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω

输出电容（COSS）：150pF

最大脉冲正向电流（ISM）：48A

漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：380nS

 

12N65规格尺寸：

封装：TO-220AB

总长度：30.47mm

本体长度：9.4mm

引脚长度：14.27mm

宽度：10.28mm

高度：4.7mm

脚间距：2.54mm

 

12N65特征：

低固有电容

出色的开关特性

扩展安全工作区

无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC (Typ.)

RDS(on)：0.68 ? (Max) @VG=10V

100%雪崩测试