ASEMI场效应管7N60的极限和静态参数详解

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7N60极限参数：

 

（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额；

（2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额；

（3）PDSM，最大耗散功率，是指7N60性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管的实际功耗应小于PDSM，并有一定的余量。该参数通常会随着结温的升高而降低；

（4）VGS，最大栅源电压，当栅源之间的反向电流开始急剧增加时的电压值。结型MOS管正常工作时，栅极和源极之间的PN结处于反偏状态，电流过大，会发生击穿；

（5）Tj，最高工作结温，通常为150℃或175℃，在器件设计的工作条件下，必须避免超过此温度，并应保留一定的余量；

（6）TSTG，储存温度范围。

 

7N60除上述参数外，还有电极间电容（MOS管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。

 

7N60静态参数：

 

（1）V(BR)DSS，漏源击穿电压，是指当栅源电压VGS为0时，场效应管7N60所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数，工作电压施加到FET必须小于V(BR) DSS。它具有正温度特性。因此，该参数在低温下的值应作为安全考虑。

（2）RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N60导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；

（3）VGS(th)，开启电压（阈值电压）。当施加的栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏极区和源极区的表面反型层形成连通沟道。在应用中，在漏极短接的情况下，ID等于1mA时的栅极电压通常称为导通电压。这个参数一般会随着结温的升高而降低；

（4）IDSS，饱和漏源电流，栅极电压VGS=0且VDS为一定值时的漏源电流，一般为微安级。由于MOS管的输入阻抗较大，IGSS一般在纳安级。