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分类: 嵌入式

2017-01-09 23:10:28

一、电源供给
  • 电源供给方案

VDD = 2.0~3.6V:外部电源为I/O和内部电压调节器提供电源。 VDDA = 2.0~3.6V:外部模拟电源为ADC、复位模块、RC电路和PLL提供电源。
    >>只有当VDDA >= 2.4V时,ADC才能工作;
    >>只有当VDDA  >= 2.7V时,USB才能工作。
VBAT = 1.8~3.6V:
    >>当VDD 断电时,VBAT 为备份区域提供电源。
电源引脚的连接:
    >>
VDD 和VDDA 必须连接到同一个电源;
    >>
VSS 、VSSA VREF-  必须连接到地线;
    >>2.4V <= VREF+  <= VDDA 
    >>VREF+  和VREF-  仅在LQFP100封装上有,在其他封装上他们连接到内部对应的VDDA 和VSSA 。



  • 上电复位(POR)/掉电复位(PDR)
内部包含有一个综合了POR/PDR电路,这保证当电源不处于产品正常运行的电压范围(2V~3.6V)时,该电路将产生一个适当的复位。
无需外部复位电路
在POR和PDR之间有40mV滞后。


  • 可编程电压检测器(PVD
通过设置PWR_CR的PVDE位来使能;
使用PWR_CR中的PLS[2:0]位来设定监控电压的门限,通过与设定门限电压比较来监控VDD 电源;
门限值:2.2V~2.9V,步进值:0.1V;
VDD 降到门限电压以下、或上电时VDD 上升到门限电压(PWR_CSR的PVD0位表明该状态),与此信号向量的外部中断线16(如果开启)将产生中断。
>>可以用于长生警告信息、和/或将MCU运行安全状态。



  • 备份区域
备份区域包含:
RTC(计数器、分频器和报警机制)
用于RTC的独立的32KHz的振荡器(LSE)
10个16位的用户被封寄存器
RCC的BDSR寄存器:RTC时钟源的选择和使能+LSE设置
>>只有备份区域的复位信号才能复位该区域。
VBAT 独立供电
当系统VDD 低于PDR电压时,将自动切换到VBAT ;
当时用VDD 时,VBAT 上无电流损失。
防入侵检测:复位所有用户的备份寄存器
可设置级别:低/高
可设置产生中断


  • 低功耗模式
STM32F10x低功耗模式:使用CortexM3的睡眠模式。 睡眠、停止和待机模式 在停止和待机模式下,复位电路、POR/PDR处于激活状态。 
睡眠、停止和待机模式
在停止和待机模式下,复位电路、POR/PDR处于激活状态。

由于存在静态功耗(如电压调节器、振荡器、 Flash),在低频率下mA/MHz有点偏高。
代码在SRAM里执行时的功耗比在Flash里低。
  • 低功耗模式 --- 睡眠模式
内核停止、外设继续运行。
通过执行特殊的指令(WFI/WFE)进入该模式;
Cortex-M3控制寄存器的中SLEEPONEXIT位决定进入该模式的机制:
Sleep-Now(SLEEPONEXIT为0):当执行WFI/WFE指令时,MCU立即进入睡眠模式。
Sleep-on-Exit(SLEEPONEXIT为1):当从优先级最低的中断向量里退出时,MCU进入睡眠模式。
退出睡眠模式:
WFI(等待中断)
任意可被可嵌套向量的中断控制器(NVIC)确认的外设中断。
WFE(等待事件)
在事件模式下,一个在外设控制寄存器中可设置为中断使能的事件,但是不未在NVIC中使能,或设为事件模式的外部中断线的事件。
无时间损失在进入/退出上。

为了降低功耗,用户可在进入睡眠模式前关闭不工作的外设时钟。
  • 低功耗模式 --- 停止模式
在以下条件下执行WFI或WFE指令进入停止模式:
1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位;
2. 清除电源控制寄存器(PWR_CR)中的PDDS位;
3. 通过设置PWR_CR中LPDS位选择电压调节器的模式。
所有外设时钟、PLL、HSI和HSE都被关闭,保留SRAM和寄存器内的内容。
如果RTC和IWDG正在运行,进入停止模式时该外设不会停止(包括时钟)。
可将电压调节器设置为低功耗模式,以降低功耗;
退出停止模式:
WFI指令进入时:任意设置为中断模式的外部中断线(相应的中断须在NVIC中使能)
WFE指令进入时:任意设置为事件模式的外部中断线;
从停止模式恢复后,时钟的配置返回到复位时的状态(系统时钟为HSI)。


  • 低功耗模式 --- 待机模式
在以下条件下执行WFI指令:
1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位;
2. 设置电源控制寄存器(PWR_CR)中的PDDS位;
3. 清除电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)中的WUF位。
电压调节器关闭、整个1.8v区域断电。除了备份区域和待机电路的寄存器以外,SRAM和寄存器的内容全部丢失;
在待机模式下,RTC和IWDG(如果开启)继续运行;
除了以下情况,待机模式下所有IO口处于高阻状态:
复位引脚(始终有效);
防侵入引脚(若被置为检测侵入或校准);
唤醒引脚,如果使能。
唤醒源:
唤醒引脚的上升沿
RTC警告
复位引脚外部复位信号
IWDG复位


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