发布时间：2022-06-13 16:12:45

编辑-Z100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V，反向恢复时间(trr)为47nS.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-13 16:11:58

编辑-ZASEMI大功率MOS管90N10参数：型号：90N10漏源电压（VDSS）：100V连续漏极电流（ID）：90A栅源电压（VGSS）：±20V功耗（PD）：125W漏源漏电流（IDSS）：100uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ输出电容（COSS）：940pF脉冲漏极电流（IDM.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-11 16:06:56

编辑-Z根据其应用方式，MOS管25N120的主要作用是：1、做放大管；2、做高速管；3、做电流镜管；4、做开关。 25N120参数描述型号：25N120封装：TO-247集电极-发射极电压（VCES）：1200V集电极电流（IC）：25A栅极-发射极电压（VGES）：±20V功耗（PD）：310W.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-11 16:06:02

编辑-ZASEMI的MOS管24N50参数：型号：24N50漏源电压（VDSS）：500V连续漏极电流（ID）：24A栅源电压（VGSS）：±30V功耗（PD）：290W漏源漏电流（IDSS）：50uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24Ω输出电容（COSS）：670pF最大脉冲正向电流（ISM.........【阅读全文】

发布时间：2022-06-10 16:17:45

编辑-Z20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。20N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，关断延迟时间(td(off))为40nS.........【阅读全文】