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2022年(29)

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分类: IT业界

2022-06-13 16:11:58

编辑-Z

ASEMI大功率MOS90N10参数:

型号:90N10

漏源电压VDSS):100V

连续漏极电流ID):90A

栅源电压(VGSS):±20V

功耗PD):125W

漏源漏电流IDSS):100uA

栅极阈值电压(VGS(TH)):3V

静态漏源导通电阻RDS(ON)):8mΩ

输出电容COSS):940pF

脉冲漏极电流(IDM):360A

漏源二极管正向电压VSD):1.2V

反向恢复时间trr):65nS

 

90N10封装尺寸图示:

封装:TO-220AB

总长度:29.7mm

本体长度:9.4mm

引脚长度:13.8mm

宽度:10.8mm

高度:4.8mm

脚间距:2.54mm

 

90N10特征:

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

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