英飞凌IPW65R110CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理

编辑-Z

IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数：

型号：IPW65R110CFDA

连续漏极电流（ID）：99.6A

功耗（Ptot）：277.8W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1.5uA

栅源漏电流（IGSS）：100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.099Ω

输入电容（Ciss）：2340pF

输出电容（Coss）：160pF

二极管正向电压（VSD）：0.9V

反向恢复时间（trr）：150ns

 

IPW65R110CFDA提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时还提供了一个非常快速和坚固的体二极管。这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及{BANNED}最佳高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。

 

IPW65R110CFDA特征：

超快体二极管

极高的换向坚固性

由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低，因此损失极低

易于使用/驾驶

符合AEC Q101

绿色包装（符合RoHS标准），无铅电镀，模具化合物无卤素

 

IPW65R110CFDA应用：

650V CoolMOS TM CFDA专为开关应用而设计。

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。