高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版22

在本专题中也不用一一列出，要害在于让大家明白RDRAM的寻址是怎么一回事即可，剩下的具体代码定义，假如有爱好大家可以自行研究。 2、 操作时序计算通过上面的时序图，我们可以发现RDRAM计算时序的方法与SDRAM家族不一样，这在比较两者间时序效率时有着要害的影响。 Rambus的时序规定与FPE/EDO内存时一样，在读取时延用了tRAC、tCAC的定义，前者是行访问周期（RAC，RAS Access Cycle/Delay），后者是列访问周期（CAC，CAS Access Cycle/ Delay），你可以把它等同于SDRAM中的CL，但决不能在RDRAM中引入CL这个概念。在写入时则将tCAC替换为tCWD（CAS to Write Delay）。它们的单位都是时钟周期，对于PC800，一个时钟周期就是2.5ns，对于PC1066就是1.876ns了。显然，时钟频率越高，延迟周期就越短。但是这些时序是从命令包发送完毕开始计算，SDRAM则是在命令发送同时开始计算。因此，在计算RDRAM的操作延迟时，命令包本身占用的时间也必须要考虑进来。 3、 写入延迟与掩码操作 RDRAM为写入设置了专用的延迟tCWD，这并不是被迫而是有意设计的。RDRAM不需要DQS之类的信号进行同步操作，数据是可以立即接受的，但出于总线利用率的考虑，RDRAM加入了写入延迟，它略短于tCAC。在具体操作中，芯片上没有引脚控制写入答应/禁止，一切的命令在命令包中进行定义，所以读命令可以在写过程中发出，经过tCAC后有效。这样在写后读操作中，除了tCAC与tCWD之间的差距外（估计是留给写回的时间），几乎没有任何停顿，而不像SDR/DDR SDRAM中有较大延迟。在写入过程中，数据都是先存在写入缓冲区中，这个操作的目的在于等待掩码的控制。RDRAM的数据掩码只对写入有效，当收到掩码命令后，RDRAM将指定的引脚数据从缓冲区中删除，之后再进行真正的写入。 昔日贵族——Rambus DRAM（三） 4、多通道技术与多通道模组 PC800的速度在当时可算是RDRAM的一极限，但它的1.6GB/s带宽并不能满足高端应用的需要，而且DDR一方主推的产品是P2100的DDR-266，为此RDRAM利用双通道技术来弥补带宽上的不足。简单的说，它就像一个用于内存的RAID，两个通道的数据在RAC一端进行分割（写）与合并（读），两个通道的RIMM缺一不可并要求结构完全一致，因为寻址信号是一样的，必须适用于两个RIMM，这也就意味着两个RIMM的存储轨迹也是一样。但是，数据的寻址延迟并没有变化，只是连续传输率提高了一倍达到3.2GB/s（两个PC800通道），而且总的内存容量也增加了一倍。时至今日，虽然RDRAM使用窄位宽设计，但究竟不是串行的方式，提升频率也越来越困难，最新的PC1066标准也只达到2.1GB/s的带宽，此时双通道设计几乎成为RDRAM的标配。可以说没有双通道技术的支持，RDRAM是很难走到今天的。
RDRAM双通道结构以前，双通道技术是以两条RIMM来实现，在双通道已经是RDRAM标准设计的今天，这种设计的弊病很明显，比如客户的购置成本、主板的布线设计等。为此，在一些内存厂商的支持下，RDRAM出现了多通道模组设计，其主体思路就是将每个通道的信号终结电路移植到模组上来，在一个模组上实现多通道传输。 32bit的RIMM设计，每个通道的终结器做在了模组上目前PC市场上32bit RIMM逐渐开始流行并终将取代传统的双通道设计，对于64bit RIMM，由于是4通道设计，得需要4通道北桥芯片的支持，