高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版19

一、RDRAM简介 RDRAM与DDR SDRAM一样，也是一种采用双沿触发技术的内存， 但它在结构、控制体系方面相对于传统SDRAM有着不小的变化，首先我们来看看它与SDRAM之间的简单比较。 （上图可点击放大） RDRAM与传统SDRAM的架构比较从架构比较图中，可以看出RDRAM在工作方式上与SDRAM有了很大不同。SDRAM需要多颗芯片并联组成P-Bank与北桥沟通，而在RDRAM架构中每个芯片就是一个单独工作的读写单元，芯片的位宽就是与北桥接口的位宽，所以假如想用ECC，就要用专门的ECC型芯片，也因此有了16/18bit的两种规格。而芯片的位宽就是一个RDRAM通道的位宽（本文以16bit芯片为例进行介绍）。为了达到更高的容量，在一个通道中将多颗RDRAM芯片串起来，形成RIMM（Rambus Interface Memory Module，Rambus接口内存模组），假如主板答应，完全可以设计一个超长的内存插槽与模组，但现实中肯定不能这么做，所以在主板上Rambus又把模组串起来组成通道。由于是串联的形式，所以要求起始端与终结端形成一个完整的通路，而RIMM就是这个通路的串联器，因此Rambus要求所有的插槽必须插满，假如没有RIMM则用C-RIMM（Continuity RIMM，RIMM续连器）代替，以达到联通RSL信号并行终结器的目的。工作时，RDRAM每次寻址一颗芯片，所需要的数据则由通道数据总线传送到北桥，而不像SDRAM那样由所在模组直接通过DIMM接口传向北桥，也因此RIMM的引脚定义几乎是左右对称的。由于位宽的降低，为保证高带宽，RDRAM使用了更高的时钟频率（这就意味着它不可能与系统时钟同步，所以只能叫RDRAM而不是RSDRAM），芯片的工作频率明显高于SDRAM/DDR，这样芯片的工作热量也急剧上升，为此Rambus在官方规范中规定RIMM必须配备散热片，从而成了现在这个样子。 32bit位宽PC1066芯片标准的RIMM，它是目前PC领域中性能最高的RDRAM产品二、RDRAM的结构简介 1、 RDRAM的L-Bank结构 RDRAM的内部仍主要由L-Bank构成，但它的设计与SDRAM家族有很大的不同。首先，每个L-Bank有两个数据通道A和B，各为8bit位宽（ECC型号为9bit，这种设计就是Direct DRAM较以前RDRAM的不同），每个端口都配有S-AMP。根据L-Bank数量与S-AMP的分配方式不同，目前RDRAM共有三种内核结构，分别是32s、16d与4i。较早时，RDRAM的设计是16d，所谓的d是指Double（双），即除了0与15号L-Bank，其余相邻的L-Bank每个数据通道（A和B）共用一个S-AMP。 16d L-Bank结构（上图可点击放大）后来分别向高端和低端领域发展了32s与4i技术。前者的s代表Split，它将原来的16d内核分割为两个部分，