内存芯片命名规则

内存芯片命名规则

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义， 拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样 我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列 出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits； HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量： 64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cd fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D =DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cd代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，28=128Mbits、8K Ref，29=128Mbits、4K Ref，56=256Mbits、16K Ref，57=56Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、 3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封 装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s= 10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100
又例如公司目前所以芯片型号有：

老103板，HY57V561620，代表现代SDRAM，工作电压3.3V，256Mbit，16位宽，4个bank,TTL芯片。

老ARM板，HY57V641620，代表现代SDRAM，工作电压3.3V，64Mbit,16位宽，4个bank,TTL芯片。

新103板，HY57V643220，代表现代SDRAM，工作电压3.3V，64Mbit,32位宽，4个bank,TTL芯片。

LGS内存颗粒:


LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J 和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的 来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

　　LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

　　GM72V XX XX X 1 X X T XX

　　GM代表为LGS的产品。

　　72代表SDRAM。

　　第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

　　第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

　　第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

　　第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。

　　第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。

　　"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。

　　最后的XX自然是代表速度：

　　7.5：7.5ns［133MHz］

　　8：8ns［125MHz］

　　7K：10ns［PC-100 CL2或3］

　　7J：10ns［100MHz］

　　10K：10ns［100MHz］

　　12：12ns［83MHz］

　　15：15ns［66MHz］


　　高士达（LGS）SDRAM内存芯片的识别
　　一、高士达SDRAM内存芯片编号识别
　　GM 72 X X XX X X X X X XXX
　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
　　
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如
下：
　　1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀）
　　MEMORY IC的前缀
　　2：FAMILY（内存种类）
　　72:SDRAM
　　3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压)
　　V:CMOS(3.3V)
　　4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）
　　16:16M,4K Ref
　　17:16M,2K Ref
　　28:128M,4K Ref
　　55:256M,16K Ref
　　56:256M,8K Ref
　　57:256M,4K Ref
　　64:64M,16K Ref
　　65:64M,8K Ref
　　66:64M,4K Ref
　　5：DATA WIDTH（数据带宽）
　　4:×4
　　8:×8
　　16:×16
　　32:×32
　　6：BANK（芯片组成）
　　1:1 BANK
　　2:2 BANK
　　4:4 BANK
　　8:8 BANK
　　7：I/O INTERFACE（I/O界面）
　　1:LVTTL
　　8：REVISION NO.（修正版本）
　　BLANK:ORIGINAL
　　A:FIRST
　　B:SECOND
　　C:THIRD
　　D:FOURTH
　　E:FIFTH
　　F:SIXTH
　　9：POWER（功率）
　　Blank:STANDARD
　　L:LOW－POWER
　　10：PACKAGE（IC封装）
　　T:TSOP(NORMAL)
　　R:TSOP(REVERSE)
　　I:BLP
　　K:TSOL
　　S:STACK
　　11：SPEED（速度）
　　6:150MHz
　　7:143MHz
　　74:135MHz
　　75:133MHz
　　8:125MHz
　　7K:(PC100,2－2－2)＊
　　7J:(PC100,3－2－2)＊＊
　　10K:(PC66)＊＊＊
　　10J:(PC66)＊＊＊＊
　　12:83MHz
　　15:66MHz
　　Note（注释）:
　　＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
　　＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
　　＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
　　＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。