128Mb内存（8-SOIC）GD25Q127CFJGY、（16-SOIC）MT25QL128ABA8ESF-0SIT NOR闪存

介绍：
GD25Q127CFJGY (128M 位) 串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI)，并支持双/四 SPI： 串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#) 和 I/O3 (HOLD#/RESET#)。双通道 I/O 数据的传输速度为 208Mbits/s，四通道 I/O 和四通道输出数据的传输速度为 416Mbits/s。

MT25QL128ABA8ESF-0SIT是一款128Mbit 并行NOR闪存器件，采用 16-SOIC 引脚封装。该闪存具有较高的密度、就地执行 (XiP) 性能和架构灵活性，可满足汽车、消费类和移动产品的设计要求。该器件非常适合用于GPS/导航、汽车后视摄像头、手机、智能手机和电子阅读器。该器件还具有较宽的温度范围、经过验证的可靠性追踪记录，并可长期放置在严苛的工业环境中。

产品属性
GD25Q127CFJGY：NOR闪存 128Mbit /3.3V 300mil /工业（-40 至 +85） /T&R
存储器类型： 非易失  

存储器格式： 闪存  

技术： FLASH - NOR  

存储容量： 128Mb  

存储器组织： 16M x 8  

存储器接口： SPI - 四 I/O  

时钟频率： 104 MHz  

写周期时间 - 字，页： 12?s，2.4ms  

电压 - 供电： 2.7V ~ 3.6V  

工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）  

供应商器件封装： 8-SOP 

MT25QL128ABA8ESF-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mbit SPI 133 MHz 16-SO

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：128Mbit

存储器组织：16M x 8

存储器接口：SPI

时钟频率：133 MHz

写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：16-SOIC (0.295", 7.50mm 宽)

供应商器件封装：16-SO

供应NOR闪存 GD25Q127CFJGY、MT25QL128ABA8ESF-0SIT，全新原装，质量保证！