CPU超频的秘密!四款最强内存颗粒曝光！

前言：提高外频很重要 内存体质必须好

 

    谈到超频，许多玩家都有这样的疑问：一样的主板、CPU和电源，同样的倍频、外频设置，为什么人家超的上去，我就不行呢？同样的CPU频率，为什么别人的运算速度就比我的快呢？其实这些问题的答案很简单，就是内存问题。

    自从Intel和AMD限制了CPU倍频之后，超频就只能从外频下手了。提高外频，除去有良好的主板支持，内存也变得尤为重要。众所周知，如果内存频率采用分频设置，不但会影响系统整体性能，还会导致CPU的潜力无处发挥，这种现象在AMD平台上尤其明显。所以，选择好超频的内存就变成超频玩家不可忽略的一件大事。

 

 沧者极限站长coolaler正在调校超频平台

    在国际超频高手冲击记录的过程中，大部分调校时间都花在了内存上，内存的参数直接影响着SuperPI的速度，频率带宽关系着CPU主频的提升和3D测试成绩的提高。我们可以这么说：内存的好坏直接关系着超频的成败，内存是超频过程中的幕后英雄！

    本文分为内存参数简析，四种超频颗粒介绍和内存原理浅谈三大部分。很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，所以在颗粒介绍部分，我们只选取了部分在国际玩家中拥有不错口碑的单条512MB和1GB内存。

技术解析：延时、频率合理搭配

 

    超频过程中，为什么调校内存所花时间最长呢？原因就内存参数优化。参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下：

    1、CL（CAS Latency）

    中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

    2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）

    中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
　　
    3、tRP（RAS Precharge Time）

    “内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

    4、tRAS（RAS Active Time）

    “内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大，从1到15都可选择。别名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。

    进入了64位时代，内存参数调节又多了一个选项――Command Rate。这个选项就是K8平台超频时所称的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分K8主板默认参数都比较保守，采用2T。

    如果您觉得单纯的文字叙述不能说明参数优化和延迟的问题，那我们就来看一张理论模型图。从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。

    提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。不同厂家的颗粒带有不同的超频特性，下面我们就来具体的了解一下。

    现在内存已经变成了一种廉价硬件，拥有1GB以上的内存已经不再是件奢侈的事情，下面我们就开始介绍单条512MB和1GB的DDR内存颗粒。

单条512MB精品颗粒：华邦BH-5

 

    说到单条512MB DDR内存，其颗粒制造商可谓数量众多，其中最著名的当属华邦（Winbond）和三星（SAMSUNG）。

    华邦（Winbond）的内存颗粒是DDR时代初期的神话，以低延迟和高电压敏感性这两大特性著称于世，其中的最强者就是已经停产的BH-5。

    BH-5颗粒最早是以普通DDR400颗粒身份上市的，并不是什么特制超频颗粒。图中的几条内存就是2003年时在市场销售的DDR400产品。可惜BH-5的在世时间并不长，2004年就被停产。

    但在今年，市场又出现了“新BH-5”颗粒。其实这种颗粒并不是当年的BH-5，而是内存厂商在清理库存时廉价抛出的未经检测颗粒。国际上对这种未检测颗粒统称“UTT”。UTT是一种内存颗粒制造中不负责任的产物，当然采购价格也很低廉，32M单颗粒的价格只有2美金左右。

图中的内存半成品就是采用的华邦处理的UTT颗粒，颗粒上没有任何字符编号。这种颗粒并不是传说的极品，而是鱼龙混杂的拼盘。但各内存品牌是要对用户负责的，他们会将采购来的UTT进行检测分类，这就出现了下面的产品。

    这种内存也有着不错的超频和优化效果，若想要得到最佳效果，就必须要3.2v以上的高压伺候。

 

    这就是世界知名华邦颗粒大师――狂少，在4V内存电压时的超频记录，实时频率已经接近DDR600。

单条512MB精品颗粒：三星TCCD

 

 

 

    三星（SAMSUNG）能够成为DIYer心中的内存王者，完全是因为其超频专用颗粒TCCD。TCCD是现在唯一能在2.6v电压下稳定运行的DDR600的内存颗粒，其丰功伟绩数不胜数，K8超频记录的每一次突破，都有着它的身影。在它如日中天的今天，三星公布了一个令人震惊的消息――停产TCCD！这无疑给全世界超频玩家泼了一盆冷水。

 

    没有了TCCD，我们还有别的选择吗？当然，那就是三星后续发布的廉价颗粒TCC5。

    有的玩家会感觉TCC5的超频性能不如TCCD，其实不然。TCC5由于制程改进，其高频激发电压也有了变化。在电压超过3v时，同样能以不错的参数稳定运行在DDR600，可以说兼具BH-5和TCCD的双重“性格”。

    上面介绍的颗粒虽说有着极强的超频性能，但单颗粒容量最大仅为32MB，对于追求海量内存的高端发烧玩家，显然是不够用的。下面，我们就来看看单条1GB内存有什么极品。

单条1GB精品颗粒：镁光MT-5B

 

    单条1GB的DDR内存大都采用双面设计，由于单颗粒容量较大，内部线路密集，所以超频性能平平，要想制造高频颗粒，就必须在制造工艺上有所突破。

    镁光（Micron）身为世界第二大内存颗粒制造商，其产品却在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。

 

    Crucial最新推出的单条1GB内存选用MT -5B新版颗粒，在欧美玩家的心目中，超频性能绝不亚于三星的TCCD。MT -5B新版颗粒抛弃了传统的66pin-TSOPII封装，转用DDR2的推荐封装60ball-FBGA。

    传统的TSOPII封装形式可以使内存很好的工作在200MHz以上。但频率更高，容量更大时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这就会影响内存的稳定性和频率提升。这也就是普通单条1GB内存频率很难突破250MHZ的原因。而DDR2推荐的FBGA封装形式，提供了更为良好的电气性能与散热性，为大容量内存的稳定工作与极限超频提供了坚强的硬件保障。

    使用了FBGA封装的MT -5B，在2.9v时达到了TCCD的300MHz 1T参数。如果内存电压能到3v以上，一定还会有更为出色的表现。

    就算不采用最新的封装形式，在原有TSOPII上下功夫，优化内部架构，也会对大容量颗粒的超频性能有所提高的，三星就做到了这一点。

单条1GB精品颗粒：三星UCCC

 

　　三星（SAMSUNG）不愧为DDR时代的终结者，在512MB容量有TCCD和TCC5称雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。

 

    UCCC颗粒首现于2004年4月，早期专供服务器高端ECC内存使用；几经调整，最终于2005年1月进入民用领域。前期产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。但三星为了重夺高频内存之王的宝座，于今年6月对UCCC做了进一步制程优化。

 

 

    优化过的UCCC不仅保持了原有的稳定性，超频性也是可比TCCD。沧者极限测试的创见内存，使用了最新525周期的UCCC颗粒的创见。两条1GB组成双通道，仅用2.8v电压就实现了1T DDR600。高频与海量兼得，稳定性绝佳，这就是DDR时代的最终王者――三星UCCC。

写在最后：选择超频内存小窍门

 

 

    超频内存的选择，主要是从颗粒入手，具体品牌和型号不必看的很重；大品牌的东西未必就好超，新品牌的未必就不能超。在选定颗粒后，一些细节和生产周期也是要注意的：

    带有两个“大眼睛”的华邦（Winbond）颗粒首选非打磨的（基本都为二手），要不挑到了杂烩“UTT”可就不爽了。

    三星（SAMSUNG）UCCC颗粒一定要选520周期以后的，只有这些周期生产的才是优化颗粒，之前的则“服务器”风格较重。

    非Crucial品牌的镁光（Micron）颗粒内存尽量不要选择，那些往往是使用次批颗粒拼装的，品质不保呀。

    注意了上述三点，基本上就可以挑选到一款“极品”超频内存了。当然，理论出于实践，多了解多询问，防止JS忽悠，掌握了相关颗粒和品牌的真实，才能助您淘到适合自己爱机的超频DDR内存。