分类： 大数据
2025-02-08 15:59:15
编辑：ll
30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管30N06
型号：30N06
品牌：ASEMI
封装：TO-252
批号：{BANNED}最佳新
{BANNED}最佳大漏源电流：30A
漏源击穿电压：60V
RDS（ON）Max：24mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的30N06 MOS管
ASEMI品牌30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30N06的{BANNED}最佳大漏源电流30A，漏源击穿电压60V.
?细节体现差距
30N06，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
30N06具体参数为：{BANNED}最佳大漏源电流：30A，漏源击穿电压：60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252
