分类： 大数据
2025-02-08 15:05:48
编辑：ll
10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管10N10
型号：10N10
品牌：ASEMI
封装：TO-252
{BANNED}最佳大漏源电流：10A
漏源击穿电压：100V
批号：{BANNED}最佳新
RDS（ON）Max：135mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
10N10场效应管
10N10的电性参数：{BANNED}最佳大漏源电流10A；漏源击穿电压100V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-6V，Id=2A
RDS（开）:135m? （{BANNED}最佳大值）@VG=-10V
