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2013-08-31 15:18:29
特点:灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化。
压阻效应:固体受到作用力后,电阻率就要发生变化,这种现象称为压阻效应。
所有材料在某种程度都呈现压阻效应,但在半导体材料中,这种效应特别显著。
金属应变片发生应变后,使导体的几何尺寸发生改变——〉阻值变化
半导体材料的电阻大小取决于有限数目的载流子——空穴和电子的迁移。
加在一定晶向上的外界应力,引起半导体能带的变化,使载流子的迁移率产生较大的变化,导致半导体电阻率产生相应的变化。
常用的单晶硅材料是各向异性的,取向不同时特性不一样。取向用晶向来表示。
晶向是晶面的法线方向,用密勒指数表示。
密勒指数是在晶体x、y、z 轴上晶面截距的倒数化成的三个没有公约数的整数。
压阻系数随晶向不同而异,晶向不同,压阻效应也明显不同。对P型硅来说,〈111〉晶向的相对灵敏度系数K111达150,而〈100〉晶向的K100只有10左右。
压阻式传感器——利用硅的压阻效应和微电子技术制成。