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2013年(14)

2012年(16)

分类: 嵌入式

2013-01-01 23:03:02

    在上一节的实验中,我们推断出写NorFlash失败的原因是在 flash_erase() 函数中执行擦除操作时执行了 L88 或 L92 处的 goto outahere; 直接跳到 L105去执行了。那么我们今天就来确定到底是哪里出的错。
    我们在 flash_erase() 函数中插入调试信息打印印:
   
    编译了执行一下看结果。
   
    原因很明显了,是芯片没有反应超时所致的失败。
    那为什么会超时呢?是时序不对还是驱动不对?对于这个问题,我只好去查询NorFlash芯片的手册与电路原理图。
 
   
    由上图可见,数据位16Bit,地址位23Bit=8MB,芯片选择脚CE连nGCS0。地址映射到0x00000000上,地址范围为0x000000-0x7FFFFF。
    我们在查看 u-boot/board/flash.c 文件NorFlash驱动中看到,对NorFlash的写与擦除时都对一个地址进行访问,MEM_FLASH_ADDR1与MEM_FLASH_ADDR2,如下:
   
    查得这两个宏的定义为:
   
    CFG_FLASH_BASE 在 include/configs/my2440.h 文件中定义为 0x00000000。
    那么上述两个宏的分别地址:

点击(此处)折叠或打开

  1. #define MEM_FLASH_ADDR1        (*(volatile u16 *)0x00000AAA)
  2. #define MEM_FLASH_ADDR2        (*(volatile u16 *)0x00000554)
    查看原理图,得知NorFlash的芯片型号为:AM29LV160DB,此为对应的电子文档: Am29LV160DB.zip
 
    摘录其中的部分说明:
 
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