NAND FLASH实验读ID和随机读写

   一般对于某一类的NAND FLASH，在其内部都会保存自身相关的一些信息，如制造商码，产品码以及产品内部信息（如页大小）等。在一般系统设计过程中，就是根据这些信息来设计驱动程序。例如，先读取产品码，根据不同的产品码调用不同的驱动程序，也就是所谓的支持多种NAND FLASH启动。

   这些信息一般在数据手册上会有相关的数据。基本流程：

   （1）发送读ID命令。（2）发送地址0。 (3)延时一会儿。（4）读取5个字节的ID即可。

void NF_ReadID(unsigned char *buf)
{
    int i;
    NF_Enable();
    NF_Enable_RB();
    NF_Send_Cmd(CMD_READID);// read id command
    NF_Send_Addr(0x0);
    for ( i = 0; i < 100; i++ );//延时，有个时间tAR
    *buf     = NF_Read_Byte();
    *(buf+1)= NF_Read_Byte();
    *(buf+2)= NF_Read_Byte();
    *(buf+3)= NF_Read_Byte();
    *(buf+4)= NF_Read_Byte();
     NF_Disable();
}

NAND FLASH的型号K9F2G08U0B就支持随机读写，也就是支持单字节读写。随机写操作基本流程：

（1）发送页写入命令0x80。（2）发送页地址。（3）发送随机写发起命令0x85。（4）发送页内地址。（5）发送随机写确认命令0x10,NAND FLASH收到该命令。（6）检测忙信号，等待数据写入完成。

   注意：因为页地址指的是该页距离第0块第0页的绝对地址，所以需要5个地址周期（NAND FLASH 5地址周期）。页的绝对地址的计算方法与前文讲的一致，即页的绝对地址=块号*64+页号，第2次发送地址时，该地址是所写入的数据在该页中的地址，因为每一页大小是2K+64字节，所以，地址线需要A0~A11,因此需要2个地址周期。
   随机读操作基本流程：

 （1）发送页读取命令0x00。

 （2）发送页地址。

 （3）发送页读取确认命令0x30，NAND FLASH会自动将该页数据读取到内部的数据寄存器中。

 （4）发送随机读发起命令0x05。

 （5）发送页内地址。

 （6）发送随机读确认命令0xE0。

  (7) 检测忙信号，等待数据写入完成。

在nand.h中增加随机读，写操作命令的宏定义，同时增加对随机读，写函数的声明：

#define CMD_RANDOMREAD1    0x05     //随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2     0xE0     //随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE     0x85     //随意写命令
extern unsigned char NF_RamdomRead(unsigned int block,unsigned int page,unsigned int add);
extern unsigned char NF_RamdomWrite(unsigned int block,unsigned int page,unsigned int add,unsigned char dat) ;

在nand.c文件中增加上述两个函数：

 

unsigned char NF_RamdomRead(unsigned int block, unsigned int page, unsigned int add)
{
    unsigned char buf ;
    unsigned int page_number = (block<<6) + page;
    NF_Reset();
    NF_Enable();
    NF_Enable_RB();
    NF_Send_Cmd(CMD_READ1);
    NF_Send_Addr(0x00);
    NF_Send_Addr(0x00);
    NF_Send_Addr((page_number) & 0xff);
    NF_Send_Addr((page_number >> 8) & 0xff);
   NF_Send_Addr((page_number >> 16) & 0xff);
   NF_Send_Cmd(CMD_READ2); //页读命令周期2:0x30
   NF_Check_Busy();
   NF_Send_Cmd(CMD_RANDOMREAD1);

   NF_Send_Addr((char)(add&0xff));
   NF_Send_Addr((char)((add>>8)&0x0f));
   NF_Send_Cmd(CMD_RANDOMREAD2);
   NF_Check_Busy();
   buf = NF_Read_Byte() ;
   NF_Disable(); //关闭片选
   return buf; //读取数据
}


unsigned char NF_RamdomWrite(unsigned int block,unsigned int page, unsigned int add, unsigned char dat)
{
    unsigned int page_number = (block<<6)+page;//计算页的绝对地址
    NF_Enable();//打开NAND FLASH
    NF_Enable_RB(); //开启忙信号检测功能

    NF_Send_Cmd(CMD_WRITE1);//发送页写入命令0x80
    NF_Send_Addr(0x00); //发送页绝对地址
    NF_Send_Addr(0x00);
    NF_Send_Addr((page_number) & 0xff);
    NF_Send_Addr((page_number >> 8) & 0xff);
   NF_Send_Addr((page_number >> 16) & 0xff);
   NF_Send_Cmd(CMD_RANDOMWRITE);
   NF_Send_Addr((char)(add&0xff));
   NF_Send_Addr((char)((add>>8)&0x0f));
   NF_Send_Data(dat);
   NF_Send_Cmd(CMD_WRITE2);
   NF_Check_Busy();
   NF_Disable();
}