ARM 9G20 SDRAM控制器的配置

一，关于SDRAM控制器的配置：

  对SDRAM控制器初始化的配置，主要是为了对应内存所作的一些参数设置，和访问内存时一些命令模式及其顺序的设置，即时序的设置。

1，SDRAM组成的原理。

   首先，SDRAM是通过北桥芯片和CPU进行通信的（这里指PC机），它一次访问的位宽必须CUP的位宽一样（即BANK的位宽），比如都是32BIT。其结构组成是这样的，SDRAM首先是一个模块，这个模块由几个BANK组成，每个BANK有若干个单元格组成。为了满足位宽，通常几个芯片并联组成一个BANK.   SDRAM控制器通过行和列的定位，对BANK进行寻找。即SDRAM控制器是这样操作的，先选某一个BANK，再定位行，列，找出单元格。组成大概是这样子的，下面看配置。

2，SDRAM控制器的配置：（以ATMEL9g20为例）

1）SDRAM的一些参数必须配置（一个SDRAM控制器可以控制不同类型的SDRAM，比如数据宽度等）。比如行列数，数据宽度，异步延迟时间等。在参数配置寄存器。

2）对一些经常移动的SDRAM，要设置温度补偿参数。在低电寄存器。

3）配置SDRAM类型，在存储器设备寄存器。

4）然后配置触发前等待时间，发空命令，读写周期，刷新周期，充电时间，命令模式等一系列参数。

  先发一个NOP（空命令），在模式寄存器模式位设成1.

  发一个BANK预充电命令，在模式寄存器模式位设成2.

  8个自动刷新周期（CBR），在模式寄存器模式位设成4.

  模式寄存器周期设置，在模式寄存器模式位设成3.

  对移动的SDRAM，有一个扩展模式寄存器周期设置，在模式寄存器模式位设成5.

  然后必须设成正常模式，在模式寄存器模式位设成0.

  最后写一个刷新频率数，到刷新时间计数器寄存器里。

SDRAM电源管理，有三种模式：

1，自刷新模式，不要SDRAM控制器参与，SDRAM设备自己刷新,耗电较低。在低能寄存器SDRAMC_LPR中的LPCB被设置成1.

2，Power-down Mode，刷新在SDRAM控制器下进行。在低能寄存器SDRAMC_LPR中的LPCB被设置成2.

3， Deep Power-down Mode，所有的SDRAM内容都消失。在低能寄存器SDRAMC_LPR中的LPCB被设置成3.

在一个自动刷新命令发出后，在SDRAM内部刷新地址自动产生，然后自动增加。有一个计时器，在寄存器SDRAMC_TR可以设置一个值，用以表明刷新周期间的时钟周期数。如果刷新是出现错误，则会发生中断，会被自动记录在中断寄存器SDRAMC_ISR。

  另外，SDRAM控制器的引脚和PIO控制器的引脚复用。如果用SDRAM控制器，必须设PIO控制器，使其为外设服务。

下面看一下相关寄存器：

1，模式寄存器SDRAMC_MR

  选择SDRAM控制器发送什么命令到SDRAM，由寄存器的第三位决定。

2，刷新计时器寄存器SDRAMC_TR

  由其低12位决定刷新周期多大。

3，SDRAM配置寄存器SDRAMC_CR

  设置行数，列数，BANKS数，行访问信号，列访问信号，数据宽度，写回复延迟等等。

4，SDRAM低能寄存器 SDRAMC_LPR

  可以设置选择何种刷新模式（4种），局部刷新PASR，温度补偿自刷新，驱动长度（即输出数据的宽度），激发低能模式的延迟时间。

5，中断使能（禁止）寄存器，这个不用多说啦。

6，中断屏蔽寄存器  SDRAMC_IMR

7，中断状态寄存器  SDRAMC_ISR

8，存储器类型寄存器  SDRAMC_MDR

  可以选择使用的是那种存储器

 

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