SLC和MLC NAND Flash

SLC和MLC的价格差很多，比如256M的SLC nand价格就和1G的MLC nand一样。MLC优势确实正在日益凸显，很快就会成为闪存的主力。至于说它存储慢、安全性低，这个都是很久以前的事情了，随着各大芯片生产商对它的完 善，现在MLC技术已经比较成熟，这些问题也就模糊了。

Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为 Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。 Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相 同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低 30％~40%，有些甚至更低。

区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。 2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者 MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；MBC）。 除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。 MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝 在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。