前几天大致分析了u-boot针对smdk2410的源码,了解了启动的流程,但是对板上许多硬件的驱动过程还不太清楚。smdk2410源码中有针对Nor Flash的初始化和读取,但源码中没有对Nand Flash的操作,虽然针对其他型号的板子应该有Nand的源码,但方便起见,我查阅了vivi的源码,它支持从Nand Flash启动,自然有我需要的东西。下面我就自己的分析和总结列出来,中间当然也从google上得到不少前人留下的宝贵资料:)。
我先摘录一段对Nor和Nand flash区别的几条总结:
NOR flash采用位读写,因为它具有sram的接口,有足够的引脚来寻址,可以很容易的存取其内部的每一个字节。
NAND flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息(复用)。NAND的读和写单位为512Byte的页,擦写单位为32页的块。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
再来看看Nand flash自身的特点(部分摘自August0703的文章):
Nand Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell中,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。
多个line(多个位宽大小的数据)会再组成Page。我使用的Nand flash是三星的K9F1208U0M,从datesheet上得知,此flash每页528Bytes(512byte的Main Area + 16byte的Spare Area),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB(Spaer Area)是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。
Nand flash以页(512Byte)为单位读写数据,而以块(16KB)为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址:
● Column Address:列地址,地址的低8位
● Page Address :页地址
● Block Address :块地址
对于NAND Flash来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度也是8位,这导致在读写指定地址的数据时,地址是分4次传递的(3次右移),见后文。
s3c2410这个处理器之所以可以直接从Nand flash启动,是因为CPU内置了4KB的片内SRAM,手册上称作“Steppingstone”。板子上电复位之后,CPU会自动将Nand flash的前4KB代码拷贝到片内SRAM中去执行(此过程是靠硬件实现的,见datasheet图Figure 6-1. NAND Flash Controller Block Diagram),这也是导致从Nor和Nand启动后的内存映射不同的原因。所以,vivi的stage1代码head.S必须要小于4KB,其中实现基本的CPU初始化等工作,并且要实现把自身拷贝到SDRAM中,之后的stage2就实现复杂功能。
关于SDRAM的初始化,之前分析u-boot时虽然涉及,但那篇没有仔细分析,我将另外归纳一篇。
下面具体看一下如何读写这块Nand flash:
从s3c2410的datasheet上得知,Nand flash的操作通过NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT和NFECC这六个寄存器来完成,并且列出操作Nand flash的4个步骤:
NAND FLASH MODE CONFIGURATION 1. Set NAND flash configuration by NFCONF register. 2. Write NAND flash command onto NFCMD register. 3. Write NAND flash address onto NFADDR register. 4. Read/Write data while checking NAND flash status by NFSTAT register. R/nB signal should be checked before read operation or after program operation.
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下面结合vivi源码来详细的分析具体如何操作这6个寄存器来完成以上4个步骤来完成读过程:
先要初始化Nand flash,紧接着复位一下:
void reset_nand() { int i=0; NFCONF &= ~0x800; /* 现在真正使用Nand flash,bit[11]要置0,与初始化时相反 */ for(; i<10; i++); NFCMD = 0xff; //reset command
/* 复位命令。NFCMD寄存器只用到低8位(bit[7:0])。 K9F1208U0M手册中列出了针对此块flash的各种命令,见Table 1. Command Sets。vivi/include/mtd/nand.h更直观的列出了各种命令 */ wait_idle(); }
/* 初始化NAND Flash */ /* NFCONF设定为0xf830,作用是使能Nand flash控制器、初始化ECC、Nand flash片选信号nFCE=1(inactive,真正使用时再让它等于0)、设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1。 TACLS、
TWRPH0、TWRPH1这三个参数是控制Nand
flash信号线CLE/ALE和写控制信号nWE的时序关系的,要参照具体的flash芯片手册来设置。我这个是K9F1208U0M ,在表“AC
Timing Characteristics for Command / Address / Data Input”中可以看到: CLE setup Time = 0 ns,CLE Hold Time = 10 ns, ALE setup Time = 0 ns,ALE Hold Time = 10 ns, WE Pulse Width = 25 ns 可
以计算,即使在HCLK=100MHz的情况下,TACLS+TWRPH0+TWRPH1=6/100 uS=60 ns,也是可以满足NAND
Flash
K9F1208U0M的时序要求的。(此句摘自thisway.diy@163.com的文章。关于如何配置时序,以后我得好好学习一下,还自诩电子出
身,丢人啊。。。)*/ void init_nand() { NFCONF = 0xf830; reset_nand(); }
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初始化Nand flash之后,就可以把stage2的main函数代码拷贝到SDRAM中去执行,当然之前已经配置好了SDRAM。以上工作都是在stage1阶段(片内SRAM中)完成的,之后就可以读写Nand flash了。
下面分析读操作的实现,贴上vivi/s3c2410/nand_read.c源码:
#include <config.h>
#define __REGb(x) (*(volatile unsigned char *)(x)) #define __REGi(x) (*(volatile unsigned int *)(x)) #define NF_BASE 0x4e000000 #define NFCONF __REGi(NF_BASE + 0x0) #define NFCMD __REGb(NF_BASE + 0x4) #define NFADDR __REGb(NF_BASE + 0x8) #define NFDATA __REGb(NF_BASE + 0xc) #define NFSTAT __REGb(NF_BASE + 0x10)
#define BUSY 1 inline void wait_idle(void) { int i;
/* NFSTAT:只用到位0,0-busy,1-ready */ while(!(NFSTAT & BUSY)) for(i=0; i<10; i++); }
#define NAND_SECTOR_SIZE 512 /* Nand flash是以512Byte为单位来读写的 */ #define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)
/* low level nand read function */ /* 下面的读过程严格按照2410手册上的顺序 */ int nand_read_ll(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size) { int i, j;
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) { return -1; /* invalid alignment */ }
/* chip Enable */ /* 对应第一条:1. Set NAND flash configuration by NFCONF register. */ NFCONF &= ~0x800; for(i=0; i<10; i++);
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) { /* READ0 */ /* 对应第二条:2. Write NAND flash command onto NFCMD register. */ NFCMD = 0;
/* Write Address */ /* 对应第三条:3. Write NAND flash address onto NFADDR register. *NFADDR寄存器也只用到低八位来传输,所以需要分4次来写入一个完整的32位地址,需要注意后3次的移位操作 */ NFADDR = i & 0xff; NFADDR = (i >> 9) & 0xff; NFADDR = (i >> 17) & 0xff; NFADDR = (i >> 25) & 0xff;
/* 对应第四条:4. Read/Write data while checking NAND flash status by NFSTAT register. 一个地址对应512个字节数据。所以,由于8bit位宽的限制,每次读取8位(1个字节),共读512次得到1页512Byte数据 */ wait_idle(); for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) { *buf = (NFDATA & 0xff); buf++; } }
/* chip Disable */ /* 读写完毕需要禁止Nand flash ,与开始相对应*/ NFCONF |= 0x800; /* chip disable */
return 0; }
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以上是对Nand flash读操作的分析。总体来看,关键在于根据CPU和Flash的datasheet配置各寄存器和按照规定顺序进行操作。具体的配置过程是比较繁杂的,可参照u-boot或vivi中对各种硬件支持的源码来配置,可省不少事。以后若自己尝试写bootloader,再实践一下作为练习吧。
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