几天前看初始化SDRAM代码时觉得比较困难，主要是因为之前没有接触过这方面，毫无经验，现在看来不难，麻烦在需要根据datasheet进行设置，好在是移植，很多强人的文章可参考。自己很容易忘事，就记录下来吧。
我的板子是s3c2410，使用两片容量为32MB、位宽16bit的HY57V561620CT-H芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet，要使用SDRAM需配置13个寄存器，以下逐个来看：
1、 BWSCON：Bus width & wait status control register总线位宽和等待状态控制寄存器。
此寄存器用于配置BANK0 – BANK7的位宽和状态控制，每个BANK用4位来配置，分别是：
● ST（启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM，此位置0；对于SRAM，此位置1）
● WS（是否使用存储器的WAIT信号，通常置0为不使用）
● DW（两位，设置位宽。此板子的SDRAM是32位，故将DW6设为10）
特殊的是bit[2:1]，即DW0，设置BANK0的位宽，又板上的跳线决定，只读的。我这板子BWSCON可设置为0x22111110。其实只需将BANK6对应的4位设为0010即可。
2、 BANKCON0 – BANKCON7
用来分别配置8个BANK的时序等参数。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的（内存只能映射到这两个BANK，具体映射多大的空间，可用BANKSIZE寄存器设置），所以只需参照SDRAM芯片的datasheet配置好BANK6和BANK7，BANKCON0 – BANKCON5使用默认值0x00000700即可。
对于BANKCON6和BANKCON7中的各个位的描述：
（1）MT（bit[16:15]）：设置本BANK映射的物理内存是SRAM还是SDRAM，后面的低位就根据此MT的选择而分开设置。本板子应置0b11，所以只需要再设置下面两个参数
（2）Trcd（bit[3:2]）：RAS to CAS delay（00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks），推2410手册上的荐值是0b01。我们PC的BIOS里也可以调节的，应该玩过吧。
（3）SCAN（bit[1:0]）：Column address number（00 = 8-bit，01 = 9-bit，10= 10-bit），SDRAM列地址位数。查阅HY57V561620CT-H芯片手册得知此值是9，所以SCAN=0b01。
综合以上各值，BANKCON6 – 7设为0x00018005。
3、 REFRESH：刷新控制寄存器。
此寄存器的bit[23:11]可参考默认值，或自己根据经验修改，这里用0x008e0000，关键是最后的Refresh Counter（简称R_CNT，bit[10:0]）的设置，2410手册上给出了公式计算方法。SDRAM手册上“8192 refresh cycles / 64ms”的描述，得到刷新周期为64ms/8192=7.8125us，结合公式，R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。
4、 BANKSIZE：设置SDRAM的一些参数。其中BK76MAP（bit[2:0]）配置BANK6/7映射的大小，可设置为010 = 128MB/128MB或001 = 64MB/64MB，只要比实际RAM大都行，因为bootloader和linux内核都可以检测可用空间的。BANKSIZE=0x000000b2。
5、 MRSRB6、MRSRB7：Mode register set register bank6/7
可以修改的只有CL[6:4]（CAS latency，000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks），其他的全部是固定的（fixed），故值为0x00000030。这个CAS在BIOS中应该也设置过吧，对PC的速度提升很明显哦J
至此，13个寄存器全部配置好了，下面就可以把代码复制到SDRAM中执行了，同样的程序速度要比片内SRAM运行的慢不少。
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1。关于CPU和SDRAM的硬件连接参考s3c2410datasheet的“MEMORY (SROM/SDRAM) ADDRESS PIN CONNECTIONS”可以得知，那么复制4K以后的代码需要使用NANDFLASH控制器来读取NANDFLASH，以后的实验中将列举，本实验系统启动后将NANDFLASH开始的4K数据复制到SRAM中，然后跳转到0地址开始执行，然后初始化存储控制器，把程序本身从SRAM中复制到SDRAM中，最后跳转到SDRAM中运行，程序的标号：on_sdram，这个地址在连接程序时被确定为30000010，这个是SDRAM的地址，通过ldr pc,on_sdram，程序就可以跳转到SDRAM去了。那么on_sdram的值为什么等于31000010呢？原因在于Makefile中连接程序的命令为arm-softfloat-linux-gnu-ld -Ttext 30000000 head_yoyo.o leds_yoyo.o -o sdram_elf,意思就是代码段的起始地址为30000000，即程序的第一条指令（ bl disable_watchdog） 的连接地址为30000000,其他类推，其程序标号为on_sdram的值为30000010，虽然 bl disable_watchdog，bl memsetup， bl copy_steppingstone_to_sdram，的连接地址都在SDRAM中，但是由于他们都是位置无关的相对跳转指令，所以可以在SRAM中运行。
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2 @ File : head_yoyo.S
3 @ 功能 : 设置SDRAM，将程序复制到SDRAM中，并跳转到SDRAM中运行
4 @**********************************************************
5
6 .equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
7 .equ SDRAM_BASE, 0x30000000
8 .text
9 .global _start
10 _start:
11 bl disable_watchdog @关闭看门狗，否则CPU不断重启
12 bl memsetup @初始化SDRAM控制器
13 bl copy_steppingstone_to_sdram @复制代码到SDRAM
14 ldr pc,=on_sdram
15
16
17 @*********************************************************
18 @ 子函数说明：跳转到SDRAM中运行
19 @*********************************************************
20
21 on_sdram:
22 ldr sp,=0x34000000 @设置栈,由于栈是向下增长，实际的使用为0x340 00000-4(栈在使用之前要减4)
bl main @跳转到C语言
24
25
26 halt_loop:
27 b halt_loop @死循环
28
29 @*********************************************************
30 @ 子函数说明：关闭看门狗
31 @*********************************************************
32
33 disable_watchdog:
34 ldr r0,=0x53000000
35 mov r1,#0x0
36 str r1,[r0]
37 mov pc,lr
38
39 @*********************************************************
40 @子函数说明：初始化内存控制器
41 @*********************************************************
42
43 memsetup:
mov r1,#MEM_CTL_BASE
45 adrl r2,mem_cfg_val
46 add r3,r1,#52
47 1:
48 ldr r4,[r2],#4 @将地址为R2的内存单元数据读取到R4中，然后r2=r2 +4
49 str r4,[r1],#4 @将r4的数据写入到r1的内存单元，然后r1=r1+4
50 cmp r1,r3 @比较R1，R3是否设置完所有的13个寄存器。
51 bne 1b @如果没有复制完，就继续
52 mov pc,lr @复制完后返回，b指令则不行。区别bl。
53
54
55 @*****************************************************************
56 @子函数说明：复制代码到SDRAM,将SRAM中的4K数据全部复制到SDRAM，
57 @ SRAM起始地址为0x00000000，SDRAM的起始地址为0x30000000
58 @*****************************************************************
59
60 copy_steppingstone_to_sdram:
61 mov r1,#0 @设置R1为SRAM的起始地址为0x00000000
62 ldr r2,=SDRAM_BASE @设置R2为SDRAM的起始地址为0设置R1为0X300 00000
63 mov r3 ,#4*1024 @设置R3为4K
1:
65 ldr r4,[r1],#4 @从SRAM中读取4字节的数据到R4中，然后r1=r 1+4
66 str r4,[r2],#4 @将r4中的4字节数据复制到SDRAM中，然后r2= r2+4
67 cmp r1,r3 @判断是否完成：SRAM的地址是否等于末地址> 。
68 bne 1b @若没有完成，继续复制
69 mov pc,lr @返回
70
71 .align 4
72
73 @******************************************************
74 @存储控制器13个寄存器的设置值
75 @******************************************************
76 mem_cfg_val:
77 .long 0x22011110 @BWSCON ：
78 .long 0x00000700 @BANKCON0
79 .long 0x00000700 @BANKCON1
80 .long 0x00000700 @BANKCON2
81 .long 0x00000700 @BANKCON3
82 .long 0x00000700 @BANKCON4
.long 0x00000700 @BANKCON5
84 .long 0x00018005 @BANKCON6
85 .long 0x00018005 @BANKCON7
86 .long 0x008e07a3 @REFRESH
87 .long 0x000000b1 @BANKSIZE
88 .long 0x00000030 @MRSRB6
89 .long 0x00000030 @MRSRB7
说明：
BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示：
a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1。有原理图可知Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0])。
b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。
d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。
对 于本开发板，使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、位宽为32的存储器，所以其BWSCON相应位为： 0010。对于本开发板，BWSCON可设为0x22111110：其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可，其它的是什么值没什么影响， 这个值是参考手册上给出的。
BANKCON0-BANKCON5：我们没用到，使用默认值0x00000700;
BANKCON6-BANKCON7:设为0x00018005 在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同：
a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11
b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：
Trcd([3:2])：RAS to CAS delay（00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks），由于使用的是HY57V561620(L)T-H，查看其手册具体在“DEVICE OPERATING OPTION TABLE”，在100M的工作频率下的推荐值为3clocks，所以设为推荐值0b01。
SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，（00 = 8-bit，01 = 9-bit，10= 10-bit）对于本开发板使用的SDRAM HY57V561620(L)T-H（Column Address : CA0 ~ CA8），列地址位数为9，所以SCAN=0b01。
如果使用其他型号的SDRAM，您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值：00-8位，01-9位，10-10位.
REFRESH：设为0x008e0000+ R_CNT 其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振频率12MHz；
SDRAM 的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM HY57V561620（L）-H的数据手册上，可看见这么一行“8192 refresh cycles / 64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955, REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
Trp([21:20]):设置为0即可
Tsrc（［19：18］）：设置默认值即可。
BANKSIZE：
位[7]=1：Enable burst operation （0＝ARM核禁止突发传输，1＝ARM核支持突发传输）
位[5]=1：SDRAM power down mode enable（0＝不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式，1＝使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式）
位[4]=1：SCLK is active only during the access (recommended)
位 [2:1]=010：BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M，地址范围是 (x*128M)到(x+1)*128M-1，x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的，您可以从S3C2410数据手册第5章“Table 5-1. Bank 6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。本开发板仅使用BANK6的64M空间，我们可以令位 [2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M)：这没关系，多出来的空间程序会检测出来，不会发生使用不存在的内存的情况——后面 介绍到的bootloader和linux内核都会作内存检测。
位[6]、位[3]没有使用。
MRSRBx：
能让我们修改的只有位[6:4](CL＝CAS latency，查看SDRAM的DATASHEET)这是SDRAM时序的一个时间参数，SDRAM 不支持CL=1的情况，所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。开发板保守的值为0b11。
NOTE：
In Power_OFF mode, SDRAM has to enter SDRAM self-refresh mode.
1 /*
2 * =====================================================================================
3 *
4 * Filename: leds_yoyo.c
5 *
6 * Description:
7 *
8 * Version: 1.0
9 * Created: 2008年10月02日 22时35分33秒
10 * Revision: none
11 * Compiler: arm gcc(3.4.5)
12 *
13 * Author: yoyoili (mn)
14 * Company:
15 *
16 * =====================================================================================
17 */
18
19 #define rGPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050)
20 #define rGPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054)
#define GPF4_OUTP (0x01<<8)
23 #define GPF5_OUTP (0x01<<10)
24 #define GPF6_OUTP (0x01<<12)
25 #define GPF7_OUTP (0x01<<14)
26
27 void wait(unsigned long time)
28 {
29 for(;time>0;time--);
30 }
31
32 int main()
33 {
34
35 rGPFCON = GPF4_OUTP|GPF5_OUTP|GPF6_OUTP|GPF7_OUTP;
36
37 while(1)
38 {
39 wait(30000);
40 rGPFDAT = (~1<<4);
41 wait(30000);
42 rGPFDAT = (~1<<5);
43 wait(30000);
44 rGPFDAT = (~1<<6);
45 wait(30000);
46 rGPFDAT = (~1<<7);
47
48 }
49 }
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