突破Cortex-M0芯片的调试断点数的限制

Nu-Link调试器的断点调试功能，我们最初实现了下面两种：

1. RAM中的程序，通过指令替换的方式实现，可以用任意多个断点

2. flash中的程序，利用Cortex-M0硬件的支持，可以支持到4个断点。（断点靠的很近的话，可以有8个断点）

RAM中的断点用途不大，因为总是希望让程序尽可能的直接在flash中跑。

算上调试器本身需要一些断点资源，于是实际上，、

使用Cortex-M0，用户能用到的调试断点数就只有3个。

有没办法突破3个断点的限制呢？答案是肯定的。

考虑方案1：

将1个硬件断点设定在下一条跳转指令处，其他硬件断点设定在中断入口处。

运行到断点处，再移动断点位置，通过飞快的改变4个硬件断点模拟出无限断点的效果。

实现希望是有的，难度是很大的，需要解析指令集，也需要改变中断入口。

最终没有选择这个方案。

考虑方案2：

直接替换flash ROM中的指令，如同实现RAM中软件断点的办法。先停止程序，将目标地址处的flash内容替换成

断点指令，再重新运行程序。

当然也是问题多多：

 问题1: 擦写flash通常比写RAM慢很多。擦写动作要足够的快，用户才不会觉得调试起来很慢。

 问题2：擦写flash会影响目标开发板的某些寄存器组，用户调试的时候发现某个寄存器不由控制的变化可不好。

 问题3：擦写flash通常需要用到目标板的内存。如果这些内存用户另作他用（比如在做DMA），如何解决冲突？

 问题4：每种芯片写flash的程序都不尽一样。。。。

 问题5：有没可能断点处的指令只替换一次，需要运行被改写之前的实际指令时，通过模拟的方式由调试器代做？这样可以极大提高flash断点的效率。

要做到优越容易，做到完美很难。最后用方案2，前4个问题可以对付，不鸟问题5。

实现出效果，竟然也不错，flash断点几乎不比硬件断点和RAM断点慢。

于是Nu-Link调试器搭配芯唐Cortex-M0, 可以支持无限制flash ROM中的断点。

---- 写程序果然可以给人一点小小满足感。