电阻工厂发生爆炸

  能够确保增强型电阻的可靠性指标，通过包括100%A组功率调节和B组批次试验在内的100%筛选和广泛的环境试验。器件通过这些筛选和试验进行分级，并被核准为“T级可靠性。电阻在发货前还会进行老化周期处置。Mil-PRF-55342薄膜电阻通过了美国资料与试验协会(ASTME-595为宇航级需求制定的真空环境除气作用引起的总质量损失率(TML及收集到挥发性可凝聚物比例(CVCM规范试验方法的认证。此外。

   全喷镀的环绕式接头可确保优异的附着力和尺寸的一致性。Mil-PRF-55342薄膜器件采用钝化的镍铬合金电阻体，这些电阻针对既需要高可靠性又有严格性能要求的军工和航天应用。高纯度的氧化铝基板使其功率等级高达500mW这些电阻还具有低至±25ppm/℃的绝对TCR容差低至0.1%根据不同的外形尺寸和特性，除了低于25dB超低噪声和低于0.1ppm/V电压系数。提供从10?至1.69M?阻值范围。Mil-PRF-55342薄膜器件具有±0.01%仓储寿命稳定率，可在-55℃～+125℃温度范围内工作。

  SD42528转换效率可高达96％以上。单芯片集成的LDMOS管具有低于0.6Ω的导通电阻，得益于先进的系统架构。使得芯片在功率管的导通周期内的导通损耗减小。同时，该芯片拥有100mV采样电压，提高了电路的能量转换效率。由于芯片的高效率，加上采用了SOP-8封装形式，管芯发热小，散热性能优良。

  环路结构简单稳定，该芯片采用电流模式控制。具有快速的瞬态响应，恒流特性好。当输入电压在660V之间变化时或者LED负载由112颗变化时，芯片输出电流变化率可以控制在±2%之内，方便用户在不同的电压应用或LED负载应用下设定输出电流。由于芯片内部使用了高精度的修调技术，因此，该芯片的输出电流一致性好，不同批次的芯片输出电流差异可以控制在±3%之内。

  芯片的调光精度高，由于使用了PWM调光和内部稳压技术。可以满足在100Hz2kHz范围内从0100％的调光要求。芯片内部集成LDO发生VDD电压，可以作为调光用MCU电源，使客户在系统开发过程中更加便利。芯片也内置了抖频功能，芯片内部振荡频率可以确保在一个很小的范围内进行抖动，使集中的频谱能量分散化，减小在单一频率的对外辐射，从而改善了系统的EMI特性，简化了EMI设计。此外，芯片内部集成了温度维护电路，热补偿电路，限流电路等多重维护电路，以保证LED灯的工作环境正常，延长其使用寿命。

  宽输入电压范围宽达6V~60V可以输出最大1A电流。输入电压为48V时，SD42528可应用于直流输入和交流输入等典型应用领域。直流输入典型应用中。可串接12个LED系统外围元器件非常少，仅需要7个元器件，非常适合应用于36V或48V电源系统。