对比Nand Flash, Nor Flash，SDRAM

记录一下对Nand Flash和Nor Flash，还有SDRAM的理解：


1. Nand Flash: 通常都是8个IO为地址线和数据线复用，所以需要时序来先发地址指令，然后读取数据，不过flash都是先擦除然后在写入，Nand Flash擦除速度很快（Nor Flash都是秒级别，Nand Flash是毫秒级别），写入速度应该跟Nor Flash差不多，不过写入都是要先擦除某block然后写入，加起来的总时间比Nor Flash快多了，读取的速度稍微比Nor Flash差，价格比较Nor Flash编译很多，不过些访问Nand Flash的驱动就需要ECC纠错等功能，比Nor Flash蛮烦很多。 Nand Flash容量都很大，所以通常用作大存储盘，如优盘。专门的文件系统是yaffs.

2. Nor Flash: 地址线跟SDRAM一样，因为Nor Flash通常放启动代码，所以地址线跟SDRAM一样，多少根就得看多大容量，Nor Flash的读取很容易，完全跟SDRAM一样，直接的写地址，数据线就可以读取数据，不过写入Nor Flash不是SDRAM一样，直接写入，需要先擦除块再写入，通用的Nor Falsh支持CFI接口，这样就可以使用通用程序来写入数据。专门文件系统jffs, 不过Nor Flash通常用在非智能手机上，都是32兆左右的偏多。

3. SDRAM: 断电时会消失，跟Nor Flash和Nand Flash差别就这个很明显，通常当内存用。