UFS 和 EMMC 对比

UFS 使用的串口，差分信号， 因此，抗干扰性很强。
EMMC使用的是并口，频率一上升， 干扰就变大，导致信号变差。
因此： UFS的速率大于EMMC。

UFS原理框图：



EMMC原理框图：


因此： 对于UFS还是EMMC， {BANNED}{BANNED}{BANNED}最佳佳佳终都会使用NAND Flash。

Nand Flash的加工过程

NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的，硅材料被加工成晶圆(Wafer)，一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的，一片晶圆可以切割出多少晶片是根据die的大小和wafer的大小以及良率来决定的，通常情况下，一片晶圆上可以做出几百颗NAND FLASH芯片。

芯片未封装前的晶粒成为Die，它是从Wafer上用激光切割而成的小片，每个Die就是一个独立的功能芯片，它由无数个晶体管电路组成，但{BANNED}{BANNED}最佳佳终可被作为一个单位封装起来成为闪存颗粒芯片。

晶片在光刻了电路后，称之为wafer

一片载有NAND Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，测试通过后，再进行切割、封装，封装完成后会再次进行一道检测。将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand 。

在wafer上剩余的，要么就是不稳定、要么就是部分损坏所以不足容量，或者是完全损坏。原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。

合格的Flash Die原厂封装工厂会根据需要封装成eMMC、TSOP、BGA、LGA等产品，但封装的时候也有不良，或者性能不达标，这些Flash颗粒会再次被过滤掉，通过严格的测试确保产品的品质。

Wafer在切割前需要进行Wafer test

闪存颗粒制造厂商主要以三星(Samsung)、SK海力士（Hynix）、美光（Micron）、铠侠（原Toshiba）、Intel、闪迪（Sandisk）等为代表的几大厂商。

在国外NAND Flash主导市场的现状下，中国NAND Flash厂商长江存储（YMTC）异军突起在市场中占据一席之地，其推出的128层3D NAND在2020年第1季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标第3季进入投片、量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模块厂，包含TLC以及QLC产品，以扩大客户基础。