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2008-07-15 15:33:58
去了华龙,没有买到HY57V561620CTP-H现货。
上网看了一些SDRAM芯片,发现一些芯片和HY57V561620CTP-H可以通用,封装、引脚、特性都符合,发现有可以替代的。想必应该在华龙应该有现货买到可以替代品,这样就可以不用定芯片等到明天了,顶多今天下午再跑趟华龙买回来,可以早点焊了。
现在,只能等明天下午的芯片了。今明正好改文档。
附上比较全的内存比较:
现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候,往往会选择性价比最高的内存,呵呵,DDR内存就是目前最好的选择了。可是DDR到底是什么呀?(我倒~~~)DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器,通常简称其为DDR。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输,所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别,二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是,DDR内存具有184只管脚,比传统的SDRAM多16只,这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。(明白什么是DDR了吧!)
既然我们现在已经知道了DDR为何物了,那么我们就开始选够吧。可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存,以低容量内存冒充高容量,以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生,为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者,我特地教给你们一手,如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存,不让JS的奸计得成!一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号,由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范,因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的,所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同,因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存:
随着各大内存和主板厂商的跟近,使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平,支持DDR的主板芯片组技术日益成熟,那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了,并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列,但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的,下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
当你拿到一条内存的时候,能看出它的容量吗?虽然我们可以把它插到机器上测试出来,但对于一个内行人来说,看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的,并且并不难做到。
通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。v 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
另外,以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商,但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式为:GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>
其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;V代表3.3V;<12>代表容量(16=16Mbits,66=64Mbits);<34>表示数据位宽(一般为4、8、16等);<5>代表Bank(2=2个Bank,4=4个Bank);1代表I/O接口:LVTTL;<6>表示内核版本;<7>代表功耗(L=低功耗,空白=普通);<8>代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);<9.10>代表速度(7.5=7.5ns[133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3],7J=10ns[100MHz],10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。
内存是计算机不可缺少的部件之一,常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
(1)HYUNDAI(现代)
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了,不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为:HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s,具体的编号含义可以在现代的网站上找到:
其中HY代表现代的产品:
5<1>表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
<2> 代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);
<345> 代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);
<67> 代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);
<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);
<9> 代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);
<10> 代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新)代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);
<11.12>代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);
<13.14>代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
除了DRAM,我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号:
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号,以KM418RD8C为例:
KM表示三星内存;
4代表RAM种类(4=DRAM);
18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);
RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);
8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);
C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP);
80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,BGA封装,速度800Mbps。
(3)Kingmax(胜创)
Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式,所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一。在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积更小、更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳定性。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于REV1.1版本。
KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6,PC-133内存最后两位编号为-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07)。
Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确定的,对应不同的主板。其中:
红色金条是PC133内存;
金色金条针对PC133服务器系统,适合双处理器主板;
绿色金条是PC100内存;
蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板,面向超频玩家;
蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板;
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号:GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金SDRAM=BLP;
GP代表金邦科技的产品;
6代表产品家族(6=SDRAM);
LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);
16M8是设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;
8 = 基粒数目;
M = 容量单位,无字母=Bits,K=KB,M=MB,G=GB);
4表示版本;
TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13
FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP(第二代),U=μ BGA);
-7是存取时间(7=7ns(143MHz));
AMIR是内部标识号。
以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP II封装,0.2微米3.3V,Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
Winbond(华邦)的显存编号和现代差不多,其编号规格为:W <12> <34> <56> <78>
W代表Winbond;
<12>代表显存类型,98为SDRAM,94为DDRRAM;
<34>代表颗粒的容量(08=8Mbits,16=16Mbits,64=64Mbits,12=128Mbits,25=256Mbits)
<56>代表颗粒的位宽(16=16bit,32=32bit,G6=16bitBGA封装,G2=32bitBGA封装)
<78>代表颗粒的版本号和封装(7代表版本号,常见的版本号为B和H;8代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装)
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号,以KM418RD8C为例:
KM表示三星内存;
4代表RAM种类(4=DRAM);
18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);
RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);
8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);
C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP);
80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,BGA封装,速度800Mbps。
Micron内存颗粒
Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。