今天替换了9200芯片

    此核心板是前面师兄所作的（板子日期06/02/18），前期上UBOOT启动不了。

    前面几天下来，测试核心板，发现数据线D[0]和D[1]有异常，编写简单程序0、1输出方波，发现其他引脚均正常输出漂亮方波，D[0]脚无反应，D[1]脚乃尖脉冲，非正常方波。

    切断ARM的D[0]脚和其他的连线，用示波器直接测量ARM上的D[0]脚，发现没有任何变化，而在AXD调试窗口里看到的是“1”。据此判断ARM问题。

    今天替换了9200芯片，再次用先前程序测量，发现D[1]脚输出了正常的方波，可是D[0]还是不对，输出的是尖脉冲。将SDRAM的D[0]脚单独切开，测其引脚与地电阻，发现只有1K左右，而其他数据引脚与地之间的电阻经过测量约为1M多，据此判断SDRAM有问题。

 

 

    明天去买SDRAM去！型号：HY57V561620CTP-H

 

先考察下现代内存的命名含义（网上DOWN的，哈哈，能看就OK）：

 

以现代为例，SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX

HY代表是现代的产品。


5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16： 16Mbits，4K Ref。

64： 64Mbits，8K Ref。

65： 64Mbits，4K Ref。

128：128Mbits，8K Ref。

129：128Mbits，4K Ref。

256：256Mbits，16K Ref。

257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次
关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

JC ： 400mil SOJ

TC ： 400mil TSOP-Ⅱ

TD ： 13mm TSOP-Ⅱ

TG ： 16mm TSOP-Ⅱ

最后几位为速度：

7： 7ns (143MHz)

8： 8ns (125MHz)

10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)

10s： 10ns (PC-100CL 3)

10 ： 10ns (100MHz)

12 ： 12ns (83MHz)

15 ： 15ns (66MHz)

注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K
refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil
TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

 

现代的颗粒....

编码规则：HY XX X XXX XX X X X X XX-X

其中：第3、4位--芯片类型 5D表示DDR SDRAM，如果57则为SD RAM

最后一位--表示颗粒速度，J为166频率 H为133频率