发布时间：2020-04-30 14:51:24

为了写操作的成功，也就是下拉节点A 至足够的低电平，启动反相器P2/N2放大新数据，传输管N3 应该比P1 管有更好的导通性。一旦反相器P2/N2 开始放大节点A 上的低电压，也就是节点A 上的下拉管N2 被关闭，上拉管P2 被打开，节点B 的电压将上升，反相器P1/N1 也将被启动，节点A 在正反馈作用下进一步向GND 转化，写操作被加速。......【阅读全文】

发布时间：2020-04-30 14:49:40

XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,......【阅读全文】

发布时间：2020-04-29 15:44:34

美国ISSI公司的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。我们以具有成本效益的高品质半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期合作关系。......【阅读全文】

发布时间：2020-04-29 15:43:02

SRAM 是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM 要快。但是，SRAM 需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。......【阅读全文】

发布时间：2020-04-22 14:11:34

灵动微MM32F103系列是一款内核为ARM? CortexTM-M3的高性能32 位MCU，它最高工作频率可达168MHZ，内置高速存储器，丰富的增强型I/O 端口和外设连接到外部总线。......【阅读全文】