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2016年(2)

2015年(203)

我的朋友

发布时间:2015-11-16 20:11:57

......【阅读全文】

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发布时间:2015-11-16 20:11:55

一、DDR的基本原理与工作过程     这种内部存储单元容量(也可以称为芯片内部总线位宽)=2×芯片位宽(也可称为芯片I/O总线位宽)的设计,就是所谓的两位预取(2-bit Prefetch),有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch(n代表芯片位宽)。     在实际工作中,L-Bank地址与相应的.........【阅读全文】

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发布时间:2015-11-16 20:11:49

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发布时间:2015-11-16 20:11:46

1.结构框图:2.管脚功能描述3.状态图:Power on: 上电Reset Procedure: 复位过程Initialization: 初始化ZQCL: 上电初始化后,用完成校准ZQ电阻。ZQCL会触发DRAM内部的校准引擎,      一旦校准完成,校准后的值会传递到DRAM的IO管脚上,并反映为输出驱动和ODT阻值。ZQCS: 周期性的校准,能够跟随电压和温度的变化而变化。校准需要更短的时间窗口,     &......【阅读全文】

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发布时间:2015-11-16 20:11:43

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。   DDR3的
内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就
可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑
Bank(Logical Bank,下面简称Bank)。 DDR3内部Bank示意图,这是一个NXN的阵列,B代表Bank......【阅读全文】

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