对技术执着
发布时间：2015-03-14 15:15:23
1. NandFlash和NorFlash Flash存储芯片，俗称尚存，因其具有非易失性、可擦除性、可重复编程及高密度、低功耗等特点，广泛地应用于手机、数码相机、笔记本电脑等产品。 根据制造技术的不同，可将Flash存储芯片分为两类：NorFlash和NandFlash。NorFlash的传输效率很高，但写入和擦除速度较慢；相比之下，NandFlash具有容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等优点，这些优点使得NandFlas......【阅读全文】
发布时间：2015-03-14 15:15:18
最近比较闲，有时间把以前的一些想法实现出来了。Atmel 的DataFlash 我自己没有用过，不过公司的好几个项目中都用到了。我没事时也去翻看过别人实现的代码，感觉实现的功能都太基本，使用起来不方便，因此就趁着最近空闲将这部分代码改造一番了。 DataFlash是美国Atmel公司新推出的大容量串行Flash存储器产品，采用NOR技术制造，采用SPI接口进行读写，内部页面尺寸较小，8Mb容量的页面尺寸为264字节，16Mb和32Mb容量的页面尺寸为512字节，64Mb容量的页面尺寸为1056字节，128Mb容量和256Mb容量的页面尺寸为2112字节。另外，AT45DBxxxx系列存储......【阅读全文】
发布时间：2015-03-14 15:06:28
首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的
内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就
可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑
Bank（Logical Bank，下面简称Bank）。 DDR3内部Bank示意图，这是一个NXN的阵列，B代表Bank......【阅读全文】
发布时间：2015-03-14 15:06:22
1．结构框图：2．管脚功能描述3．状态图：Power on: 上电Reset Procedure: 复位过程Initialization: 初始化ZQCL: 上电初始化后，用完成校准ZQ电阻。ZQCL会触发DRAM内部的校准引擎， 一旦校准完成，校准后的值会传递到DRAM的IO管脚上，并反映为输出驱动和ODT阻值。ZQCS: 周期性的校准，能够跟随电压和温度的变化而变化。校准需要更短的时间窗口， &......【阅读全文】
