[zz]VASP计算带电缺陷

有时候需要研究在晶体中有个带点荷的缺陷，比如氧离子是带-2价的。具体点如MgO中的氧离子跑到间隙里的情况。侠文介绍如何用VASP模拟这种带电体系。

比如你要计算MgO中负2价的氧离子这个间隙杂质，此时体系的原子是超原胞含64个，再加一个间隙氧原子。那么中性时体系的总电子数为N， 那么含-2价氧离子的体系的总电子数为N+2，设置NELECT= N+2。现在不管所谓的Dipole correction，你直接算用一个 gamma点，设置下面的参数:

LORBIT=1（对USPP）或11（对PAW)
对USPP，再加上设置RWIGS。

然后计算一下态密度，计算完后，你分析一下PROCAR文件，看gamma点，每个能级的分布，以及每个能级所对应的态(s, py, pz, px….)等，基本上可以看到你所加上的两个电子是局域在间隙的氧原子上的。

总的说起来，在计算带电杂质（或缺陷）的计算，通过NELECT=中性电子数+(-)杂质的电荷数。如果体系够大以及所带的电荷在+(-)2以内，不用考虑 Dipole Correction，因为此时Dipole Correction修正对体系的总能影响很小，对整个能级的影响很少。如果是体系较小（原 胞小）、杂质所带的电荷绝对值较大，需要考虑Dipole Correction。