2008年（8065）
分类： 服务器与存储
2008-12-10 13:29:31
、Macronix以及Qimonda联合推出了采用相变膜作为存储元件的新型非挥发性内存（相变内存：phase change memory）。这种内存的目标是取代传统的Flash闪存。
同普通的Flash芯片相比，PCM内存的数据写入时间仅为1/500s，写入时的耗电量也不足Flash芯片的1/2。并且IBM称，目前的PCM内存的设计，可以在22nm工艺的时候依旧不需要进行很大的修改，并且其更适应先进制程来制造，IBM同时宣称，从存储密度来说，PCM也更有优势，即使其存储单元面积降低到60平方纳米，其依旧可以完成存储工作。
IBM的这种PCM内存最大特色就是加入了GeSb合金，而这中合金的加入，让IBM的PCM内存变得更强壮起来。此前已经预计，PCM内存的售价会逐步降低，并慢慢普及开来，但是，在32nm工艺值钱，PCM内存的成本优势还无法体现，当然其可以显示出很强的性能优势来，等到内存工艺进一步提升，那么这种内存的效率实在是相当惊人，特别是PCM不需要在内存单元中使用晶体管，因此到22nm工艺以后，依旧可以继续得到提升，而Flash芯片，在这种工艺下，早就不堪重负，无法实现了
