1、 首先,我们知道内存控制器要先确定一个P-Bank的芯片集合,然后才对这集合中的芯片进行寻址操作。因此要有一个片选的信号,它一次选择一个P-Bank的芯片集(根据位宽的不同,数量也不同)。被选中的芯片将同时接收或读取数据,所以要有一个片选信号。 2、 接下来是对所有被选中的芯片进行统一的L-Bank的寻址,目前SDRAM中L-Bank的数量最高为4个,所以需要两个L-Bank地址信号(22=4)。 3、 最后就是对被选中的芯片进行统一的行/列(存储单元)寻址。地址线数量要根据芯片的组织结构分别设计了。但在相同容量下,行数不变,只有列数会根据位宽的而变化,位宽越大,列数越少,因为所需的存储单元减少了。 4、 找到了存储单元后,被选中的芯片就要进行统一的数据传输,那么肯定要有与位宽相同数量的数据I/O通道才行,所以肯定要有相应数量的数据线引脚。
现在我们就基本知道了内存芯片的一些信号引脚,下图就是一个简单的SDRAM示意图,大家可以具体看看。
图注:128Mbit芯片不同位宽的引脚图(NC代表未使用,-表示与内侧位宽设计相同)
根据SDRAM的官方规范,台式机上所用的SDRAM在不同容量下的各种位宽封装标准如下:
QQread.com 推出各大专业服务器评测 Linux服务器的安全性能 SUN服务器 HP服务器 DELL服务器 IBM服务器 联想服务器 浪潮服务器 曙光服务器 同方服务器 华硕服务器 宝德服务器 SDRAM芯片初始化、行有效、列读写时序上文我们已经了解了SDRAM所用到的基本信号线路,下面就看看它们在SDRAM芯片内部是怎么“布置”的,并从这里开始深入了解内存的基本操作与过程,在这一节中我们将接触到有天书之称的时序图,但不要害怕,根据文中的指导慢慢理解,您肯定可以看懂它。首先,我们先熟悉一下SDRAM的内部结构,然后再开始具体的讲述。
128Mbit(32M×4)SDRAM内部结构图(点击放大)芯片初始化可能很多人都想象不到,在SDRAM芯片内部还有一个逻辑控制单元,并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。因此,每次开机时SDRAM都要先对这个控制逻辑核心进行初始化。有关预充电和刷新的含义在下文有讲述,要害的阶段就在于模式寄存器(MR,Mode Register)的设置,简称MRS(MR Set),这一工作由北桥芯片在BIOS的控制下进行,寄存器的信息由地址线来提供。
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