内存的发展

经过测试，计算机从内存存取时间大约需要 200ns( 纳秒 ), 但从硬盘存取则需要 12,000,000ns ，这二者之间相差 600,000 倍，这也正是使用者会觉得计算机越来越慢的因素，因为本来 CPU 在处理数据时，都是从内存上面来读取，速度相当的快，可是当 Windows XP 使用了 Swapping 后，就变成从硬盘上面来读取，整个系统性能自然就慢了下来，这时使用者会发现，怎么硬盘灯一直闪，一直在跑！正是这个原因，而现在大多数的 3D游戏，如魔兽争霸 III （ Warcraft III ）等等，都是相当吃内存的游戏，所以玩久了，一定会发现越跑越慢，因为内存已经不负使用，而改用虚拟内存，这会儿硬盘可是操的很凶呢！

所以，使用者只要增加系统内存，让 Windows XP 不去执行 Swapping 这个过程，整个计算机性能自然会很快，记住！这与提升 CPU 所达到的加快处理速度不同，而是减少让操作系统去使用到虚拟内存的机会，这不仅让计算机在高速运作下的时间变长，换句话说，也间接提升了硬盘使用寿命，所以聪明的使用者，在升级计算机的同时，应该先考虑系统内存的多寡才是最聪明的，因为不管你的 CPU 处理速度有多快，如果遇上是从硬盘读取数据来处理的话，基于硬盘的机械结构问题，是怎么快也快不上来！

那么，读者一定有个疑问，到底要多少的内存容量，系统才会足够呢？以 Windows XP 为例，官方所建议的最佳化内存容量为 128MB ，但笔者觉得这根本不够，至少要 256MB ，才够让一般使用者感受到他的快速，而如果使用者有玩大量场景的 3D 游戏的话，至少要 512MB 以上才够看！所以如果你的内存容量仍旧在 128MB 的话，赶快升级一下吧！那么，要升级内存的话，必须先了解内存，以市场上的主流内存 为例，接下来笔者就教教大家，怎么认识内存！！

内存

最早出现的内存模块，说实话已不可考，因为各家的规格并不一样，谁是最早出现的，很难查证，但真正被业界大量采用的，是以SIMM （ Single In-Line Memory Module ）模块为基础的内存，他是一种正反两面线路都连在一起的内存，以8位（8bit）为一个单位做传输， Pin脚数为 30 ，后来当 CPU 进演到 32 位处理时， SIMM 规格的内存也演进到能够传输 32 位（ 32bit ）， Pin 脚数也提升到 72Pin ，而这二个类型的内存在 Pin 脚数上不仅不同，连长度也不一样，直到 586 时期， 72Pin 的内存仍旧被大量采用。

30Pin 的 SIMM 内存

72Pin 的 SIMM 内存

早期的 SIMM 插槽

内存

由于 SIMM 内存是以正反两面都连在一起的线路所设计，到了后期无法符合内存颗粒渐增的问题（因为内存颗粒密度加大，容量变多），于是发展出 DIMM （ Dual In-Line Memory Modules ）为基础线路设计的内存，他的设计类似于 SIMM 技术，不过正反两面的线路设计是分开的，各自拥有其独立的线路，数据传输也提升到 64 位（ 64bit ），针脚数也增加到 168Pin ，所以在长度上比72针的SIMM 内存更长。

Synchronized DRAM (SDRAM)

在 1996 年时期， SDRAM 技术出现在业界上，他是让内存“首次”以频率为标准的设计，目的是让内存工作频率与中央处理器计时同步化，这使得内存控制器能够掌握准备所要求的数据所需的准确频率周期，因此从此不需要延后下一次的数据存取。而 SDRAM 的规格不止一种，有最先推出的 PC66 SDRAM ，即是以 66MHz 为工作频率， PC100 SDRAM ，即是以 100MHz 为工作频率，以及后来 的 SDRAM 等，而 SDRAM 是以 DIMM 为架构所设计的内存。

Synchronized DRAM

Double Data Rate Synchronized DRAM (DDR SDRAM)

2000年底，由 主导的 Rambus 内存，与 VIA 和 AMD 主导的 DDR SDRAM 内存规格之战，一直是 DIY 玩家茶余饭后的话题，而这场内存战争最后由 DDR SDRAM 阵营获胜。 DDR SDRAM ，全名为（ Double Date Rate Synchronized DRAM ），是新一代的 SDRAM 技术，与传统的 SDRAM 技术差别在于，他可以在一次的频率周期中的波峰及波谷（也就是上升与下降）传送数据，达到二倍的数据量，举例来讲，以 133 MHz 的内存总线设计的 DDR SDRAM ，即可达到 266MHz 的实际数据传输率，这不仅让内存厂商不需更换大量硬设备即可量产，在成本上也容易控制，使得目前的内存架构主流变成 DDR SDRAM 。

历代主流内存

PC2700 ？ PC3200 ？这是什么？

常常在电脑商场的广告 DM 上，或是一般的计算机类书报杂志，会看到这类名词“PC3200 、 256MB DDR RAM ”，或是“DDR400 、 256MB DDR SDRAM”，到底这个 PC3200 、 DDR400 是什么意思呢？先前提到过，以 133MHz 所设计的 DDR SDRAM ，可以达到 266MHz 的实际传输频率，所以这组跑 266MHz 的 DDR SDRAM 内存，又可称为 DDR266 SDRAM 内存，同理， DDR400 SDRAM 即是指他可以跑 400MHz 的实际传输率。

那 PC 3200 又是什么？他即是指内存的数据传输量，以 DDR400MHz 为例，他的频率为 200MHz ，但是他支持 Double Data Rate 技术，所以实际频率要乘以 2 ，也就是 200x2=400MHz ，而 DDR SDRAM 是以 DIMM 为基础架构，一次可以传送 64 位（也就是 64bit ），如果换算成字节（ Byte ），就要除以 8 ，也就是 64 / 8 = 8Byte ，所以 DDR400 的实际传输量如下：

200（MHz）×2×8（Byte）＝3200 MB/s (单位为Byte）

所以读者了解了吗？ PC 3200 等同于DDR 400的内存，只是PC 3200所代表的意思是内存的传输量，而 DDR400 所代表的是内存的频率，换言之， PC2700 即是 DDR333 、 PC2100 即是 DDR266 。

内存判断方式

要看一条 DDR 内存的好坏，最简单的方式即是选择“厂商”，选择较有名的厂商，比较有保障，一来品质较稳定，二来厂商也不会因为丢了自己的信誉，而夸大内存频率，不过这里笔者还是教一下，怎么看一条 DDR 内存，要看一条 DDR 内存的好坏，可以从规格以及内存颗粒二方面所着手，规格指的是内存工作频率，以及 CL 时间（稍后再述），内存颗粒指的是内存上所采用的内存颗粒为何，一般只要是大厂，所搭配的内存颗粒都不会太差，且品质相当稳定，不过如果遇到杂牌的内存，读者可要多费心了，要看一下内存颗粒上所标示的工作频率是否符合包装盒上的标示，才不会被骗，那要怎么判断内存颗粒的工作频率为何呢？一般来讲，在内存颗粒的上面，都会有一组型号，在型号的最后面，都会有一个数字，有可能是 6 ，有可能是 5 ，或是 4 ，当然命名方式各家都不相同，以 KINGMAX 的 DDR433 内存为例，上头的内存颗粒采用 KINGMAX KDL388P4EA-46 ns ，也就是 4.6 纳秒，这时读者可以以 1000 去除以 4.6 ，会得 217.39 ，而这个数字也就是这款内存颗粒的工作频率，由于他是 DDR SDRAM ，所以 217 要再乘以 2 得 434 ，才是真正的工作频率，符合包装盒上所标示的 DDR433 规格，所以这个方法，读者也可以用来判断你家里的内存颗粒，看看是不是符合包装盒上所标示的规格哦！

KINGMAX DDR433 内存采用 KDL388P4EA-46 ns 颗粒

计算出来的频率，符合内存上所标示的规格

内存的运作方式

那么，内存是如何运作的呢？在讲这个之前，先来了解一下跟内存速度有相当大关系的三个名词，分别是 CAS Latency （行地址控制器延迟 / CL ）、 RAS-to- Delay （列地址控制器至行地址控制器延迟）、以及 Row Active Time （列动态时间），当然读者看到这些专有名词时，一定会跟笔者一样，看的一头雾水，什么行？什么列，看不太懂，没关系，笔者把他解释的白话一点，应该就看的懂了。

内存的数据单元是以矩阵（ Matrix ）方式做排列，由行与列的所交错而成，而每一个交叉点即代表一个内存位，数据便是储存在这个内存位上，换句说话，读者可以把整个内存看成一个窗体，数据是储存在窗体中的表格内，循序储存，而它的运作方式是，首先内存控制器先送出单元的列地址，作为模块逻辑寻址用，在经过一段时间，列地址会被送去暂存区，接着控制器会再送出行地址控制，以传送行地址讯号，一直到选择单元的内容送至内存芯片的输出寄存器（ Output Register ）上，再进行下一次动作，所以 RAS-to-CAS Delay 指的是列地址暂存后，到行地址执行的这段时间，而 CAS Latency 指的是行地址送出信号的时间，所以二者的时间越短，内存的执行效率就越快，而如果储存数据刚好相临的话，只需变成行地址讯号即可，因为内存控制器已经知道列地址，不需再重新寻址一次，所以行地址控制器延迟（ CAS Latency ，又称 CL ）在内存的处理性能中就扮演着相当重要的角色，也是一般内存上最常标示的项目，那读者会问，列与列更换时是什么？就是 Row Active Time （列动态时间）。

Bank 区块寻址

支持 DDR 内存的，会把内存储存区再细分成四个块（ Banks ）或是更多，每个分离的部份即代表了一个内存区 Bank ，换句说话，内存控制器可以分别对这四个部份做同步寻址，因此而增加了数据的传输率，因为当数据被一个内存 Bank 读取时，另外一个 Bank 可以寻址新的资料区，所以一般在主板的说明手册上，常看到主板支持内存几个 Bank ，如何搭配，即是指这个意思，如 Intel 845G 支援 4 个 Bank ， Intel 865PE 支持 8 个 Bank ，即指是可以对 4 或是 8 个 Bank 做同步寻址。

双面不代表就是双 Bank

有些内存在设计上为了增加性能，会以 2 个 Bank 做设计，而不是以 1 个，不过一般人常会把二个 Bank 与二面内存搞混，其实这是错的，内存的双面设计，与是否采用 2 Banks 设计是不同的，双面设计是以实体线路的方面做区分，把内存颗粒分别设计在正反两面， 2 Banks 是以电气方面做区分，把内存数据单元分成二部份，二者不能混为一谈，因为一条双面的 DDR 内存，有可能只采用 1 Bank 设计，而不是 2 Banks 。