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2009-12-02 11:11:12

内存模组是内存在PC系统中的最终体现形式,所以在本专题的最后,我们来简要谈谈内存模的类型和未来的发展情况。不过,本章节只介绍DIMM,而不涉及RIMM(其实两者的很多概念是相通的)。目前经常见到的模组主要有五种:

1、 Unbuffered DIMM:无缓冲型模组,这是我们平时所用到的标准DIMM,分有ECC和无ECC两种,简称Unb-DIMM。

2、 Regustered DIMM:寄存型模组,这是高端服务器所使用的DIMM,分有ECC和无ECC两种,但市场上几乎都是ECC的,简称Reg-DIMM。

3、 SO-DIMM:Small Outline DIMM,小外型DIMM,笔记本电脑中所使用的DIMM,分ECC和无ECC两种,DDR-Ⅱ时代仅有无ECC的型号。

4、 Micro-DIMM:微型DIMM,供小型笔记本电脑或手持式设备使用的DIMM。

5、 Mini-DIMM:DDR-Ⅱ时代新出现的模组类型,它是Regustered DIMM的缩小版本,用于刀片式服务器等对体积要求苛刻的高端领域。

各类型内存DIMM对比表

三星公司DDR-333标准的SO-DIMM,容量高达512MB

本文将重点讲一下Unb与Reg-DIMM,和未来模组技术的发展

一、Unb与Reg-DIMM的区别

Unb与Reg-DIMM的最大区别在于模组上有无寄存器。在高容量模组上,内存芯片数量很多,而且在需要大容量内存的工作场合,内存模组的安插数量也是很多的,这使命令与寻址信号的稳定性受到了严峻考验。很多芯片组的资料中都说明只有使用Reg-DIMM才能达到标称的最高内存容量,从这点就能猜到寄存器的作用——稳定命令/地址信号,隔离外部干扰。

Reg-DIMM工作示意图,命令与地址信号通过寄存器中继传输至内存芯片

在工作时,命令地址信号会先送入寄存器进行“净化”并进入锁存状态,然后再发送至内存芯片,芯片中的数据则不经过寄存器而直接传向北桥。由于要经过中继传输,所以内存操作的时序也会因此而增加一个时钟周期,这是它所带来的一个弊端,但在高端应用中,内存系统的稳定可靠的重要性远在性能之上,所以Reg- DIMM一般只用于高端市场,并且需要芯片组的支持才行(主要是Reg所引起的时序变化)。而在高端设备中,ECC基本都是必须的,因此市场上的Reg- DIMM也都无一例外的是ECC型模组,虽然也有无ECC的Reg-DIMM设计标准。

另外,为了保证内存工作时钟的稳定,Reg-DIMM上还要有一颗PLL对时钟信号对主板发来的时钟信号进行跟踪/锁定。在SDRAM时代,这并不是必须的设计,但到了DDR时代,由于对时钟的敏感性,PLL成为了必备元件。

DDR内存模组的结构图,寄存器与PLL是它相对于Unb-DIMM的最大不同

现在再回头看看Unb-DIMM,就很明白了。它关键就少了寄存器,但为什么不称之为Unregistered-DIMM呢?其实,Buffered与 Registered是Reg-DIMM的两种工作模式,前者在Reg-DIMM上并不常用,它是以时钟异步方式工作的,输出信号的再驱动不与时钟同步, Registered模式下输入信号的再驱动则与时钟同步。显然,Buffered模式下的性能要更低一些。不过,从原理上讲Registered模式也是一种缓冲操作,只是与时钟同步而已。在SDRAM的Reg-DIMM上,Buffered与Registered模式通过REGE信号控制,但到了 DDR SDRAM-DIMM时代,可能由于性能的原因Buffered模式被取消了。

在Unb-DIMM上,没有寄存器也就没了这个Buffer,但它仍可具备ECC功能。这里需要强调的是,ECC与Registered是两码事,前者是在逻辑上保证数据的安全,后者是在物理上保证内存系统的稳定工作。

德国Infineon公司推出的容量高达2GB的PC2100 Reg-DIMM

二、DIMM引脚的基本设计

讲完Unb-DIMM与Reg-DIMM的不同之后,现在我们来看看DIMM引脚上的不同。其实,从内存芯片的引脚上就能推断出一些DIMM的引脚,因为芯片最终要通过DIMM来与主板打交道的。

首先,DIMM肯定要有64个引脚用来数据的传输,而且要有Ax地址线、L-Bank地址线、片选、数据掩码、电源、RAS、CAS……等信号,另外, ECC型与Reg型DIMM要有额外的标定引脚,下面我就以SDRAM和DDR SDRAM为例,分Unb-DIMM和Reg-DIMM来介绍一下DIMM都包含有哪些的引脚。

从上面的引脚信号列表中,大家应该能了解到DIMM的大体情况了。其中很多信号定义是不是非常熟悉?从中可以看到,在DDR SDRAM时代已经为8个L-Bank做好了准备,但业界显然没有利用到它,不光是内存厂商,DDR芯片组中似乎没有支持8个L-Bank的设计。还有就是CS信号,从SDRAM到DDR,都有4个CS的设计,但目前的DIMM还都是双P-Bank的设计,不同的是,SDRAM-DIMM上,4个CS是必须的,两个CS对应一个P-Bank芯片集,但到了DDR时代,可能是技术与工艺的进步,一个CS就控制了一个P-Bank。总之,当我们了解了芯片的引脚设计后,对DIMM的引脚组成也就不再陌生。有兴趣的读者,可以自行深入研究。

三、QBM型DIMM

之所以在前文没有介绍四倍带宽内存(QBM,Quad Band Memory),就是因为不是针对芯片的技术,而针对DIMM的技术。它诞生于DDR时代,是Kentron公司为了解决DDR带宽提供困难而提出的设计方案。主要的思路就是让DIMM上的两个P-Bank交错工作,而交错的时钟周期为原始时钟的1/4,即相位相差90度。

QBM的工作时序图,第二个P-Bank的工作时钟与第一个P-Bank相差90度(1/4周期),这样在第一个P-Bank时钟的高/低电平中部就是第二个P-Bank的触发点,两者都是DDR传输,从而在一个时钟周期内完成4次数据触发,实现四倍带宽

为了控制两个P-Bank中同一位置的芯片交错工作,模组上要为每组芯片(在QBM模组上,一个P-Bank位于一侧,两个P-Bank中位置相对的芯片为一组)设置一个开关,以控制不同P-Bank间的通断。并且还要为延迟1/4周期的P-Bank提供一个PLL以保证相位差的准确性。

QBM的设计是非常巧妙的,经过对现有的DDR模组的改装,配合新的芯片组即可将带宽提高一倍,有点类似于32bit RIMM,在一个模组上实现了双通道的功能,只是QBM不是双通道并发,而是双通道交错,通过更高的传输频率实现高带宽。但是新增加的开关与PLL元件将增加一定的成本,不过与其所能提供的带宽相比,还是比较划算的。

Kentron公司给出的QBM与其他内存方案的成本比较表,从中可以看出QBM有较高的性价比

但是,开关元件的同步性对于QBM是个考验,时钟频率越高,对开关的控制精度就越高。目前,有不少大牌的模组厂商(如Infineon)都在论证QBM的可行性与可靠性,据部分厂商透露,在使用DDR-333或之前标准时,QBM的表现良好,但到了DDR-400,QBM的可靠性就会降低,如果克服这一个问题,那么延迟又会大幅提高。所以,QBM目前的可行标准是QBM533(DDR-266)和QBM667(DDR-333)。VIA在P4X800中将要支持的标准也是QBM533,虽然不能使用DDR-400,但它的5.4GB/s带宽(QBM667)在目前仍是无敌的。

不过,由于QBM是针对模组的技术,所以理论上QBM可适用于任何DIMM,包括SDRAM和DDR-Ⅱ的DIMM,Kentron也有此计划研制QBM 型DDR-Ⅱ DIMM,以保持QBM的生命力。另外,Kentron已将QBM标准上报JEDEC审批,目前还不知能否通过。很多模组厂商也都在观望,毕竟QBM转产是很容易的,就看市场情况了。所以,QBM虽然设计巧妙,但得到的支持并不强劲,以Kentron及QBM联盟的生产能力,显然不足以完成普及任务,一切就看P4X800的市场效果了。

三、模组的堆叠装配

当内存芯片容量无法迅速提高的时候,高容量模组如何设计就体现了厂商间的真正实力,由于高容量模组针对的是高端应用市场,所以谁能在容量上有所突破就意味着滚滚商机。就模组而言,芯片基本是固定的,所以芯片堆叠装配(Stack Assembly)技术就是增加容量的首选。

这方面除了Elpida、Kentron、Kingston等公司较早以前提出的TCP、FEMMA、EPOC等堆叠形式外(已有多篇文章介绍过,在此不再重复),著名的封装技术开发商Tessera公司(它在1990年因研制出CSP封装而闻名于世)近期宣布了他们的4枚芯片堆叠装配的模组技术(TCP 与EPOC都是两芯片堆叠)——μZ Package,当然,芯片本身的封装也要有相应的调整。而Infineon公司也推出了普通TSOP-II技术的双芯片堆叠装配技术。显然,模组厂商都想利用有限的空间(毕竟在主板上插槽之间的距离是有限的)尽量提高装配容量,若再配合SiP封装形式的内存芯片,DIMM的扩容就如虎添翼了。

Infineon的采用TSOP-II堆叠封装的模组,容量高达2GB

Tessera公司为高容量模组开发的4枚芯片堆叠装配技术μZ Package

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