分类：
2009-12-02 11:09:07
四、 目前的RDRAM与DDR SDRAM的比较
1、 延迟与总线利用率的比较
仍以PC800为例，由于tRAC已经包括了从行选通至数据输出的所有延迟，与是否双通道无关，所以我们只需将它再加上命令包的占用时间即可算出 RDRAM一次访问所需要的时间。PC800的tRAC基本都是40ns（16个时钟周期），加上命令包占用的4个时钟周期10ns，总共耗时为 50ns。而这是在行关闭的情况下，没有计算预充电的时间tRP，它一般为12个时钟周期（加上命令包时间），即30ns，共计80ns。显然，时钟频率越高，延迟就会越短。下面就来比较一下读取操作时RDRAM与DDR SDRAM的延迟。
读取操作时RDRAM与DDR SDRAM的延迟比较表（上图可点击放大）
从对比表中可以看出，RDRAM相对于DDR SDRAM在首次寻址时的确存在较大的延迟，即使是最新的PC1066，在与DDR-333的比较中也不占优势。不过，借助于双通道的设计，RDRAM在高数据量传输应用中的优势还是比较明显的。另外，在总线的利用率方面RDRAM的设计也居领先地位，这为保证它的总体效率提供了坚实的保障。
各内存的总线效率比较
这个对比表是东芝公司经过反复实验而得出的结论，它是通过一些典型的操作（如写-读-读），结合不同页命中情况下的时序，以及刷新对内存操作的影响等分析而得出的。由于DDR SDRAM在L-Bank数量上占劣势，所以出现L-Bank寻址冲突的可能性要大为提高，而且在写后读操作中，RDRAM的延迟也明显小于SDRAM家族，因此虽然PC800的峰值带宽不如DDR-266，但综合效率要更好。这可以解释为什么在一些测试中，RDRAM明显比DDR领先的原因。不过，在以零散数据为主的操作中，RDRAM的固定传输周期以及高延迟就成为了性能的障碍。
从前面的分析可以看出，SDRAM/DDR在数据控制上的灵活性要比RDRAM高，首次访问的延迟也更短，因此在某些操作中，即使带宽比RDRAM系统小，性能仍不见得落后。比如845D/E在某些应用测试中，完全可以与双通道PC1066一较高低。而Intel决定在高端服务器领域使用DDR芯片组，也基本是出于这个考虑，因为在服务器的操作中，零散型存取操作所占比例很大。相反，若大规模连续存取操作占比例很大（如视频与音频工作站），那么可能就要考虑RDRAM了。
2、 未来竞争展望
目前随着多通道技术在DDR上的普及，RDRAM在带宽上的优势也变得不明显了。所以，RDRAM如果不及时提高单通道的性能，很快会被强大的DDR家族赶出台式机领域。但RDRAM的时钟频率已经很高了，再向上提高已经很难，不少RDRAM厂商都表示，800MHz时钟频率可能将是RDRAM的一个巨大门槛，即使能超过，成本可能也是惊人的，要知道目前533/400MHz的RIMM就已使用了8层PCB，800MHz时PCB成本将很难控制。这也是为什么RDRAM急于推出32bit与64bit RIMM的原因，毕竟内存这种高带宽应用设备，还是需要一定位宽的保证。而且高位宽的同步性也不像想象中的那么难以控制，DQS的设计就很大程度地解决了这一问题，所以，DDR可以借助较少的转产成本，较低的PCB成本（即使是DDR-Ⅱ也是6层设计），成为PC内存的首选产品。
现在再去争论RDRAM与DDR谁胜谁败已经没有意义，RDRAM已经很难再在主流市场重振雄风。这主要不是它的技术限制，而是早期的市场动作与成本的压力造成的。虽然现在4i芯片开始起步，但支持这种结构的芯片组还很难找到（至少850E不支持）。在820时代，RDRAM由于成本而没有打开市场，现在可以通过降低成本来提高竞争力，但DDR一方也有了多通道技术。Rambus也因此明智地将黄石定位于专用/定制市场。这样，在今后很长一段时间里我们只有看DDR的独角戏了。
