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2011-07-13 11:03:54

DOS图分析方法(2011-06-20 19:55:19)
标签:

杂谈

1)在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰的DOS,对应的是类sp带,表明电子的非局域化性质很强。相反,对于一般的过渡金属而言,d轨道的DOS一般是一个很大的尖峰,说明d电子相对比较局域,相应的能带也比较窄。

小结:

        区间DOS分布平均,为 sp 带,电子非局域化;区间DOS有很大尖峰,说明 d 电子相对局域,相应的能带也较窄。

2)从DOS图也可分析能隙特性:若费米能级处于DOS值为零的区间中,说明该体系是半导体或绝缘体;若有分波DOS跨过费米能级,则该体系是金属。此外,可以画出分波(PDOS)和局域(LDOS)两种态密度,更加细致的研究在各点处的分波成键情况。

小结:

        费米能级在DOS为 0 的区间中,说明体系是半导体或绝缘体;分别画出 PDOS 和 LDOS 可以更细致地研究各点处的分波成键情况。


DOS、PDOS 和 LDOS


        LDOS:单个原子的电子态对系统能态密度谱每个部分的贡献。这里 local 指的就是单个原子。
        PDOS:Partial density of states,分波态密度,根据电子的角动量来分辨这些贡献。
                     能得到原子的 s, px, py, pz, dxy...等的态密度。

        比如:BN 中 B 原子 和 N 原子的态密度谱是局域态密度谱。而 BN 的能态密度谱是总态密度谱。
      

3) 从DOS图中还可引入“赝能隙”(pseudogap)的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱:越宽,说明共价性越强。如果分析的是局域态密度(LDOS),那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释:实际上,可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关,彼此间成单调递增的函数关系。

小结:
        赝能隙:费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙越宽,共价性越强。

        对 LDOS 来说,赝能隙越宽,两原子成键能力越强。


4) 对于自旋极化的体系,与能带分析类似,也应该将majority spin 和 minority spin 分别画出,若费米能级与majority 的DOS相交并处于 minority 的DOS的能隙之中,可以说明该体系的自旋极化。


5) 考虑 LDOS,如果相邻原子的 LDOS 在同一个能量上同时出现了尖峰,则我们将其称之为杂化峰 (hybridized peak),这个概念直观地向我们展示了相邻原子之间的作用强弱。表示两原子在同一能量处出现的概率就大。
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