1. 应当使用多少个k网格？
2. 是否加入时间反演对称操作？
3. 是否移动k网格？
译自：WIEN2k-FAQ
作者：Peter Blaha
1. 应当使用多少个k网格？
很难一般地回答，只能给出一般建议。注意：一定要检查k网格，首先用较粗糙的网格计算，接下来用精细的网格计算。通过比较两次的结果，决定选用较粗糙的网格，或是继续进行更精细网格的计算，直到达到收敛。金属体系需要精细的网格，绝缘体使用很少的k点通常就可以。小单胞需要精细格点，大单胞很可能不需要。因此：单位晶胞内原子数很多（比如40-60个）的绝缘体，可能仅需要一个（移动后的）k点。另一方面，面心立方的铝可能需要上万个k点以获得好的DOS。对于孤立原子或分子的超晶胞，仅需要在Gamma点计算。对于表面（层面）的超晶胞计算，仅需要（垂直于表面）z方向上有1个k点。甚至可以增加晶格参数c，这样即使对精细格点，沿z方向上也只产生一个k点（产生k点后，不要忘记再把c改回）。
2. 当体系没有出现时间反演对称操作时，是否加入？
大多数情况下的回答是“是”，只有包含自旋-轨道耦合的自旋极化（磁性）计算除外。这时，时间反演对称性被破坏（+k和-k的本征值可能不同），因此决不能加入时间反演对称性。
3. 是否移动k网格？（只对某些格子类型有效）
“移动”k网格意味着把所有产生的k点增加(x,x,x)，把那些位于高对称点（或线）上的k点移动到权重更大的一般点上。通过这种方法（也即众所周知的“特殊k点方法”）可以产生等密度的，k点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意：当对半导体的带隙感兴趣时（通常位于Gamma，X，或BZ边界上的其它点），使用移动的网格将不会得到这些高对称性的点，因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决：用移动的网格做SCF循环，但对DOS计算，改用精细的未移动网格。
关于k空间布点的问题，建议WIEN2K用户参阅以下文献Phys.Rev.B 49,16223 (1994)
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