1. 应当使用多少个k网格?
2. 是否加入时间反演对称操作?
3. 是否移动k网格?
译自:WIEN2k-FAQ
作者:Peter Blaha
1. 应当使用多少个k网格?
很难一般地回答,只能给出一般建议。注意:一定要检查k网格,首先用较粗糙的网格计算,接下来用精细的网格计算。通过比较两次的结果,决定选用较粗糙的网格,或是继续进行更精细网格的计算,直到达到收敛。金属体系需要精细的网格,绝缘体使用很少的k点通常就可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比如40-60个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的)k点。另一方面,面心立方的铝可能需要上万个k点以获得好的DOS。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在Gamma点计算。对于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)z方向上有1个k点。甚至可以增加晶格参数c,这样即使对精细格点,沿z方向上也只产生一个k点(产生k点后,不要忘记再把c改回)。
2. 当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?
大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋-轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这时,时间反演对称性被破坏(+k和-k的本征值可能不同),因此决不能加入时间反演对称性。
3. 是否移动k网格?(只对某些格子类型有效)
“移动”k网格意味着把所有产生的k点增加(x,x,x),把那些位于高对称点(或线)上的k点移动到权重更大的一般点上。通过这种方法(也即众所周知的“特殊k点方法”)可以产生等密度的,k点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时(通常位于Gamma,X,或BZ边界上的其它点),使用移动的网格将不会得到这些高对称性的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做SCF循环,但对DOS计算,改用精细的未移动网格。
关于k空间布点的问题,建议WIEN2K用户参阅以下文献Phys.Rev.B 49,16223 (1994)
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