NOR Flash 编程1//**************************************************************************************************
//*** norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的intel L18F256 32MB norflash(块大小为128KB)
/*
intel E28F128J3A150 16MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561 <=> E28F128J3A150
A[23:1] => A[23:1] //bf561给norflash的地址信号
D[15:0] => D[15:0] //bf561给norflash的数据信号
/AMS0 => /CE //bf561给norflash的片选信号
/AOE => /OE //bf561给norflash的读信号
/AWE => /WE //bf561给norflash的写信号
/BYTE //上拉为高
VPEN //上拉为高
/RP //上拉为高
*/
1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;
2)开始读取生产ID:
(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);
3)开始读取设备ID:
(u16)devID=*(0x0C000000+0x2);
2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
1)禁止flash的写保护： //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
2)Block unlock
*((short*)0x0C100000) = 0x0060; //块对齐地址
*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址
while(!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080)); //块对齐地址
*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //设置norflash为read array模式
3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
*((short*)0x0C100000) = 0x0020; //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD0
*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD1
while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080)); //块对齐地址，等待直到擦除结束
5)设置norflash为read array模式
*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //让norflash重新进入read array模式
6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
发送写命令(0xE8)->发送数据->发送确认写命令(0xD0)->确认状态寄存器命令(0x70)->清掉状态寄存器命令(0x50)
块对齐 字对齐 块对齐 字对齐 字对齐
*/
1)禁止flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
2)发送写命令： //块对齐地址
*((short*)0x0C100000)=0x00E8; //块对齐地址，program setup command
while(!(*0x0C100000 & 0x0080)); //块对齐地址
3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
(short *)ulData = 0x10010000 =>SDRAM的地址
(long *)psAddress = 0x0C000000 =>Norflash的地址
for(i=0; i<15; i++)
{
*psAddress = ulData[i];
psAddress++;
}
4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：
*((short*)0x0C100000)=0x00D0; //块对齐地址
5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
*0x0C100000 = 0x0070; //Check Status Register ,这里是字对齐的地址
while(!(*0x0C100000 & BIT7)); //字对齐地址
6)// Check program status.
if ( *0x0C100000 & 0x0010 ) //字对齐地址
{
*0x0C100000 = 0x0050; //字对齐地址, Clear Status
*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //块对齐地址 Put chip back into read array mode.
return 1;
}
7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
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//*** norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的st stm29w640d 8MB norflash(块大小为64KB，16位宽度)
//=> 注意ST和intel norflash是有区别的 :
// ST的norflash A0可用， 故对16bit的接法为A1接A0,后面引脚类推
//intel的norflash A0不可用，故对16bit的接法为A1接A1,后面引脚类推
//
/*
1).st stm29w640d 8MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561 <=> stm29w640d
/ABE3 => A0 //注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
A[22:2] => A[21:1] //bf561给norflash的地址信号
D[15:0] => D[15:0] //bf561给norflash的数据信号
/AMS0 => /CE //bf561给norflash的片选信号
/AOE => /OE //bf561给norflash的读信号
/AWE => /WE //bf561给norflash的写信号
RDY //上拉为高
/BYTE //上拉为高
WP_/VPP //上拉为高
/RP //上拉为高
2).注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
The ABE[3] pin of bf561 has two different functions. When the AMC is configured
to do 16-bit data packing via the Asynchronous Memory Global Control
Register,the ABE[3] pin of bf561 functions as the least significant bit of the address bus (ABE[3] = A1).
*/
1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;
2)开始读取生产ID:
(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);
3)开始读取设备ID:
(u16)devID=*(0x0C000000+0x2);
2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
1)禁止flash的写保护： //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
2)Block unlock //无
3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x0080;
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
*((short*)0x0C100000) = 0x0030; //块对齐地址
while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080)); //块对齐地址，等待直到擦除结束
5)设置norflash为read array模式
*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //让norflash重新进入read array模式
6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
*/
1)禁止flash的写保护： //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
2)发送写命令： //块对齐地址
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00A0;
3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
*(volatile U16 *)0x0C100000 = j;
4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：
5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
while(!(*0x0C100000 & 0x80)); //字对齐地址
6)// Check program status.
7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
4.读norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
1)方法一:
*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
(short)data = *((short *)0x0C100000+);
2)方法二:直接读
(short)data = *((short *)0x0C100000+);
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