mobile sdram 与一般的sdram比较
更适合移动、手持设备使用；
电源电压范围：1.8V
封装不同：小封装 BGA
没有一般SDRAM速度快，目前最大可达到100多兆；
省电设计：TCSR:Temperature Compensated Self Refresh
PASR：Partial Array Self Refresh
DS：Driver Strength
初试化时需要设置MOBILE SD的MR和EMR两个寄存器。
FLASH的模式设置为异步还是同步，要看CPU是否支持，系统是否需要用FLASH的同步模式；同步模式的设置是需要驱动来做的。
mobile sdram is ultra-low-power, difference may be:
working voltage
package
interface
r/w timing
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