一、介绍：
GS66504B-MR/GS66508B-MR/GS66504B-TR/GS66508B-TR是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性可实现高电流、高电压击穿和高开关频率。GaN Systems 利用获得专利的 Island Technology? 和 GaNPX? 封装等业界领先的先进技术进行创新。Island Technology? 单元布局实现了大电流芯片和高产量。GaNPX? 封装实现了小型封装中的低电感和低热阻。这四款器件是一种底部冷却晶体管，具有极低的结-壳热阻，适用于要求苛刻的高功率应用。
二、特性：
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650 V 增强型功率晶体管
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超低 FOM Island Technology? 芯片
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低电感 GaNPX? 封装
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简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）
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瞬态容差栅极驱动（-20 V / +10 V）
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开关频率极高（> 10 MHz）
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快速可控的下降和上升时间
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反向电流能力
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零反向恢复损耗
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5.0 x 6.6 mm2 PCB 基底面小
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符合 RoHS 3 (6+4) 标准
应用
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交流-直流转换器
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直流-直流转换器
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不间断电源
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工业电机驱动器
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家电电机驱动器
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快速电池充电
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D 类音频放大器
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电源适配器
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无线功率传输
供求GaN晶体管 GS66504B-MR/GS66508B-MR/GS66504B-TR/GS66508B-TR 底部冷却型 650 V E 模式氮化镓晶体管
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