介绍ON （1200V）NTH4L040N120M3S、NVH4L040N120M3S 碳化硅功率MOSFET

介绍
全新系列1200V M3S平面型EliteSiC MOSFET，优化用于快速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。EliteSiC碳化硅系列在用18V栅极驱动时能提供{BANNED}最佳佳性能，但同样适用15V栅极驱动。

特性

• TO-247-4L开尔文源极封装
• 出色的 FOM值（品质因数） [ = Rdson * Eoss ]
• 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)
• 高速开关，低电容（Coss = 80 pF）
• 15V至18V栅极驱动
• 全新M3S技术：40 mohm RDS(ON)，低EON和低EOFF损耗
• 100%通过雪崩测试
• 无卤素，符合RoHS标准

典型应用

• 太阳能逆变器
• 电动汽车充电站
• 不间断电源（UPS）
• 储能系统
• SMPS（开关模式电源）

供求型号：NTH4L040N120M3S、NVH4L040N120M3S
批次：新23+
规格：

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）  

驱动电压（{BANNED}最佳大 Rds On，{BANNED}最佳小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（{BANNED}最佳大值）： 54 毫欧 @ 20A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（{BANNED}最佳大值）： 4.4V @ 10mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（{BANNED}最佳大值）： 75 nC @ 18 V  

Vgs（{BANNED}最佳大值）： +22V，-10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（{BANNED}最佳大值）： 1700 pF @ 800 V  

功率耗散（{BANNED}最佳大值）： 231W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

供应商器件封装： TO-247-4L  

封装/外壳 TO-247-4