UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移 ,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21750-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地感测温度或电压,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
产品:UCC21750QDWQ1_UCC21750QDWRQ1(供应,回收)
批次:新23+
封装:SOIC-16
特性
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5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
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符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
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器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
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器件 HBM ESD 分类等级 3A
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器件 CDM ESD 分类等级 C6
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高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
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33V {BANNED}最佳大输出驱动电压 (VDD – VEE)
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±10A 驱动强度和分离输出
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150V/ns {BANNED}最佳小 CMTI
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具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
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4A 内部有源米勒钳位
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发生故障时的 400mA 软关断
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具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
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采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
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高电压直流链路或相电压
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过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
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针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
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抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
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RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
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具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
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130 ns({BANNED}最佳大)传播延迟和 30 ns({BANNED}最佳大)脉冲/器件间偏移
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SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
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工作结温范围:-40°C 至 +150°C
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安全相关认证:
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符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
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UL 1577 组件认证计划
应用
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适用于 EV 的牵引逆变器
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车载充电器和充电桩
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用于 HEV/EV 的直流/直流转换器
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