Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装（MCP）和封装体叠层（PoP）设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。
MT53E2G32D4DE-046 AIT:A、MT53E2G32D4DE-046 AUT:C 64Gb 低功耗 DDR4 SDRAM（LPDDR4）或低 VDDQ（LPDDR4X）是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器。该器件内部配置为 x16 I/O、8 块。
产品属性
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-200
数据总线宽度: 32 bit
组织: 2 G x 32
存储容量: 64 Gbit
{BANNED}最佳大时钟频率: 2.133 GHz
电源电压-{BANNED}最佳大: 1.1 V
{BANNED}最佳小工作温度: - 40 C
{BANNED}最佳大工作温度: + 85 C
系列: 130S
供求LPDDR4内存 MT53E2G32D4DE-046 AIT:A、MT53E2G32D4DE-046 AUT:C 动态随机存取存储器，只收正规渠道货源
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