SCT4026DE是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。
供求SCT4026DRC15、SCT4026DEC11 750V, 26mΩ, 3引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET
产品种类:
MOSFET
技术:
SiC
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-4L
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
750 V
Id-连续漏极电流:
56 A
Rds On-漏源导通电阻:
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4.8 V
Qg-栅极电荷:
94 nC
{BANNED}最佳大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
176 W
通道模式:
Enhancement
下降时间:
13 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
22 ns
工厂包装数量: 450
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
45 ns
典型接通延迟时间:
9.5 ns
零件号别名:
SCT4026DR
应用
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太阳能变频器
-
直流/直流变换器
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开关模式电源
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感应加热
-
电机驱动
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