纳微半导体深耕氮化镓芯片领域，凭借着出色的集成设计和研发水平，受到广大厂商的喜爱，以下是整理的部分纳微产品。
1、NV6127：是一颗氮化镓功率芯片，常用于PFC开关管，内部集成氮化镓开关管、氮化镓驱动器以及逻辑电路，应用简单。NV6127采用QFN6*8mm封装，散热性能升级，125mΩ导阻，内置驱动器支持10-30V供电。{BANNED}最佳高支持2MHz开关频率。
2、NV6128：采用QFN6*8mm封装，在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。具有开尔文源极，有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ，在纳微的氮化镓功率芯片中{BANNED}最佳低。芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
3、NV6125：内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通速率可编程。NV6125导阻为175mΩ，芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
4、NV6136A：内置170mΩ氮化镓开关管，采用QFN6*8封装，内置的驱动器支持10-30V供电，支持2MHz开关频率。同时芯片内部还集成了更高效的保护与驱动电路，具备全面的保护功能。
拓扑/应用
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交流-直流，直流-直流，交流-交流
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QR反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC谐振、D级
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无线电源、太阳能微型逆变器、LED照明、电视SMPS、服务器、电信
关于纳薇：
纳微半导体成立于2014年，旨在实现电力电子领域超速充电的革命。我们正在运用我们发明的业界{BANNED}首选氮化镓（GaN）功率芯片，实现这场{BANNED}前无古人的行业革新。该功率芯片能让充电器的开关速度提高100倍，同时使能源节约提高3倍或以上。
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