介绍英飞凌TO-263-7封装 IMBG120R090M1H/IMBG120R090M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅MOSFET
说明
IMBG120R090M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
优势
提高效率
实现更高的工作频率
增加功率密度
减少冷却工作
降低系统复杂程度和成本
SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
规格
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 763 pF @ 800 V
FET 功能 标准
功率耗散（最大值） 136W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-12
封装/外壳 TO-263-8，D?Pak（7 引线+接片），TO-263CA
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
阅读(1486) | 评论(0) | 转发(0) |
